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ZXTN4006ZTA

更新时间： 2024-02-17 21:36:35

品牌	Logo	应用领域
美台 - DIODES		晶体晶体管驱动
页数	文件大小	规格书
5页	119K
描述
200V NPN LED DRIVING TRANSISTOR IN SOT89

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ZXTN4006ZTA 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	15 weeks	风险等级：	1.72
其他特性：	HIGH RELIABILITY	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	1 A	集电极-发射极最大电压：	200 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	100
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	1.5 W
参考标准：	AEC-Q101	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

ZXTN4006ZTA 数据手册

A Product Line of

Diodes Incorporated

ZXTN4006Z

Maximum Ratings @T_A= 25°C unless otherwise specified

Characteristic

Collector-Base Voltage

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Value

200

Unit

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Continuous Collector Current

Peak Pulse Current (Note 4)

Base Current

I_CM

500

I_B

Thermal Characteristics @T_A= 25°C unless otherwise specified

Characteristic

Symbol

Value

1.5

Unit

Power Dissipation (Note 5)

P_D

R_θJA

Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 5)

Thermal Resistance, Junction to Leads (Note 6)

Operating and Storage Temperature Range

°C/W

°C

16.7

R_θJL

-55 to +150

T_J,T_STG

Notes:

4. Measured under pulsed conditions. Pulse width = 300µs. Duty cycle ≤ 2%.

5. For a device surface mounted on 25mm X 25mm FR4 PCB with high coverage of single sided 1 oz copper, in still air conditions

6. Thermal resistance from junction to solder-point (at the end of the collector lead).

Thermal Characteristics and Derating information

2 of 5

www.diodes.com

January 2012

ZXTN4006Z

Datasheet Number: DS35609 Rev. 1 - 2

123 4 5

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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ZXTN4240F-7	DIODES	Small Signal Bipolar Transistor,	获取价格
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ZXTN5551FLTA	DIODES	160V, SOT23, NPN High voltage transistor	获取价格