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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> ZXTN25100DZTA
ZXTN25100DZTA PDF预览

ZXTN25100DZTA

更新时间： 2024-01-08 00:55:38
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体晶体管功率双极晶体管开关
页数 文件大小 规格书
8页 403K
描述
100V NPN high gain transistor in SOT89

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ZXTN25100DZTA 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.36Is Samacsys：N
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：2.5 A
集电极-发射极最大电压：100 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：40JESD-30 代码：R-PSSO-F3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：175 MHzBase Number Matches：1

ZXTN25100DZTA 数据手册

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ZXTN25100DZ  
Electrical characteristics (at T  
= 25°C unless otherwise stated)  
amb  
Parameter  
Symbol Min.  
Typ.  
Max. Unit Conditions  
Collector-Base breakdown BV  
voltage  
180  
180  
220  
V
I = 100μA  
C
CBO  
CEX  
Collector-Emitter  
breakdown voltage  
(forward blocking)  
BV  
220  
V
I = 100  
μA, R < 1k  
Ω
or  
C
BE  
-1V > V > 0.25V  
BE  
(*)  
I = 10mA  
C
Collector-Emitter  
BV  
BV  
100  
6
130  
8.2  
V
V
CEO  
ECX  
breakdown voltage  
Emitter-Collector  
breakdown voltage  
(reverse blocking)  
IE = 100μA, RBC < 1k  
Ω
or  
0.25V > VBC > -0.25V  
Emitter-Collector  
breakdown voltage  
(reverse blocking)  
Emitter-Base breakdown  
voltage  
BV  
BV  
6
7
8.7  
V
V
I = 100μA  
E
ECO  
EBO  
8.3  
<1  
I = 100μA  
E
Collector-Base cut-off  
current  
I
I
I
50  
0.5  
100  
nA  
μA  
nA  
V
V
= 180V  
CB  
CBO  
=180V,T =100°C  
CB  
amb  
Collector-Emitter cut-off  
current  
V
= 100V, R < 1kΩ or  
CE BE  
CEX  
-1V < V < 0.25V  
BE  
Emitter cut-off current  
<1  
50  
nA  
V
= 5.6V  
EB  
EBO  
(*)  
Collector-Emitter  
saturation voltage  
V
120  
80  
220  
170  
100  
345  
mV  
mV  
mV  
I = 0.5A, I = 10mA  
CE(sat)  
C
B
(*)  
I = 1A, I = 100mA  
C
B
(*)  
I = 2.5A, I = 250mA  
C
B
(*)  
Base-Emitter saturation  
voltage  
Base-Emitter turn-on  
voltage  
Static forward current  
transfer ratio  
V
V
h
935  
1000  
mV  
I = 2.5A, I = 250mA  
BE(sat)  
BE(on)  
C
B
(*)  
890  
950  
mV  
I = 2.5A, V = 2V  
C
CE  
(*)  
300  
120  
40  
450  
170  
60  
900  
I = 10mA, V = 2V  
FE  
C
CE  
(*)  
I = 0.5A, V = 2V  
C
CE  
(*)  
I = 1A, V = 2V  
C
CE  
20  
(*)  
I = 2.5A, V = 2V  
C
CE  
Transition frequency  
f
175  
MHz I = 50mA, V = 10V  
T
C
CE  
f = 100MHz  
(*)  
Input capacitance  
C
C
154  
8.7  
250  
15  
pF  
pF  
V
V
= 0.5V, f = 1MHz  
ibo  
EB  
CB  
(*)  
Output capacitance  
= 10V, f = 1MHz  
obo  
Delay time  
Rise time  
t
t
t
t
16.4  
115  
763  
158  
ns  
ns  
ns  
ns  
d
I = 500mA, V = 10V,  
C
CC  
r
s
f
I
= -I = 50mA  
B1  
B2  
Storage time  
Fall time  
NOTES:  
(*)Measured under pulsed conditions. Pulse width ≤ 300μs; duty cycle ≤ 2%.  
Issue 1 - December 2007  
© Zetex Semiconductors plc 2007  
5
www.zetex.com  
12345678

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