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ZXT10N20DE6TC

更新时间: 2024-02-16 13:30:24
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捷特科 - ZETEX 晶体开关晶体管功率双极晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 234K
描述
20V NPN SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR

ZXT10N20DE6TC 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Transferred
包装说明:SUPERSOT-6Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.13
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):3.5 A
集电极-发射极最大电压:20 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):100JESD-30 代码:R-PDSO-G6
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:6
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):140 MHz
Base Number Matches:1

ZXT10N20DE6TC 数据手册

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ZXT10N20DE6  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tam b = 25°C unless otherw ise stated).  
PARAMETER  
S YMBOL MIN.  
TYP.  
MAX.  
UNIT  
CONDITIONS .  
Co lle cto r-Ba s e Bre a kd o w n  
Vo lta g e  
V
V
V
20  
20  
5
100  
V
I =100A  
(BR)CBO  
(BR)CEO  
C
Co lle cto r-Em itte r Bre a kd o w n  
Vo lta g e  
27  
V
I =10m A*  
C
Em itte r-Ba s e Bre a kd o w n Vo lta g e  
Co lle cto r Cu t-Off Cu rre n t  
8.3  
V
I =100A  
E
(BR)EBO  
CBO  
I
I
I
100  
100  
100  
n A  
n A  
n A  
V
V
V
=16V  
=4V  
CB  
Em itte r Cu t-Off Cu rre n t  
EBO  
EB  
Co lle cto r Em itte r Cu t-Off Cu rre n t  
=16V  
CES  
CES  
Co lle cto r-Em itte r S a tu ra tio n  
Vo lta g e  
V
8
90  
115  
190  
15  
150  
135  
250  
m V  
m V  
m V  
m V  
I =0.1A, I =10m A*  
C B  
CE(s a t)  
I =1A, I =10m A*  
C
B
I =2A, I =50m A*  
C B  
I =3.5A, I =100m A*  
C
B
Ba s e -Em itte r S a tu ra tio n Vo lta g e  
Ba s e -Em itte r Tu rn -On Vo lta g e  
V
V
0.96 1.0  
0.85 0.90  
400  
450  
360  
180  
V
V
I =3.5A, I =100m A*  
C B  
BE(s a t)  
BE(o n )  
FE  
I =3.5A, V =2V*  
C
CE  
S ta tic Fo rw a rd Cu rre n t Tra n s fe r  
Ra tio  
h
200  
300  
200  
100  
I =10m A, V =2V*  
C CE  
I =0.2A, V =2V*  
C CE  
I =2A, V =2V*  
C
CE  
I =6A, V =2V*  
C
CE  
Tra n s itio n Fre q u e n cy  
f
100  
140  
MHz  
I =50m A, V =10V  
T
C
CE  
f=100MHz  
Ou tp u t Ca p a cita n ce  
Tu rn -On Tim e  
C
23  
30  
p F  
n s  
n s  
V
=10V, f=1MHz  
o b o  
(o n )  
(o ff)  
CB  
t
t
170  
400  
V
=10V, I =3A  
C
=I =10m A  
CC  
I
B1 B2  
Tu rn -Off Tim e  
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle 2%  
ISSUE 1 - SEPTEMBER 2000  
4

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