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ZXMN2088DE6TA

更新时间： 2024-10-30 05:54:39

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捷特科 - ZETEX		晶体栅极小信号场效应晶体管栅极驱动
页数	文件大小	规格书
8页	227K
描述
20V Dual SOT23-6 N-channel enhancement mode MOSFET with low gate drive capability

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ZXMN2088DE6TA 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.32	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (ID)：	1.7 A
最大漏源导通电阻：	0.2 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	元件数量：	2
端子数量：	6	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

ZXMN2088DE6TA 数据手册

Part no.

ZXMN2088DE6

20V Dual SOT23-6 N-channel enhancement mode MOSFET

with low gate drive capability

Summary

I_D(A)

V_(BR)DSS

R_DS(on)(Ω)

0.200 @ V = 4.5V

2.1

1.9

1.7

0.240 @ V = 2.5V

0.310 @ V = 1.8V

Description

This new generation dual n-channel trench MOSFET from Zetex features low on-resistance

achievable with low gate drive.

Features

•

Low on-resistance

Low gate drive capability

SOT23-6 (dual) package

Applications

•

Power Management functions

Disconnect switches

Relay driving and load switching

Ordering information

Device

Reel size

(inches)

Tape width

(mm)

Quantity

per reel

ZXMN2088DE6TA

3,000

Pinout – top view

Device marking

2088

Issue 2 - June 2008

www.zetex.com

www.diodes.com

12 3 4 5 6 7 8

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