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ZXMN2A02N8TA

更新时间： 2024-10-30 07:42:35

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美台 - DIODES		晶体晶体管开关脉冲光电二极管
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8页	153K
描述
20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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ZXMN2A02N8TA 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	7.92	其他特性：	LOW THRESHOLD
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	10.2 A	最大漏极电流 (ID)：	8.3 A
最大漏源导通电阻：	0.02 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	2.5 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	50 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

ZXMN2A02N8TA 数据手册

ZXMN2A02N8

20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

SUMMARY

(BR)DSS

= 20V; R

= 0.02 I = 10.2A

DS(ON) D

DESCRIPTION

This new generation of TRENCH MOSFETs from Zetex utilizes a unique

structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching

speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power

management applications.

SO8

FEATURES

•

Low on-resistance

Fast switching speed

Low threshold

Low gate drive

Low profile SOIC package

APPLICATIONS

•

Disconnect switches

Motor control

ORDERING INFORMATION

DEVICE

REEL

SIZE

TAPE

WIDTH

QUANTITY

PER REEL

ZXMN2A02N8TA

ZXMN2A02N8TC

7”

12mm

500 units

13”

2500 units

DEVICE MARKING

•

ZXMN

2A02

Top View

ISSUE 6 - FEBRUARY 2007

SEMICONDUCTORS

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
ZXMN2A02N8TC	DIODES	获取价格	20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMN2A02N8TC	ZETEX	获取价格	20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMN2A02X8	ZETEX	获取价格	20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
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