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Datasheet > 放大器电路 > 缓冲放大器> ZXFBF04N14TC
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ZXFBF04N14TC

更新时间： 2024-02-06 07:45:03
品牌 Logo 应用领域
捷特科 - ZETEX 缓冲放大器放大器电路装置光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 256K
描述
4 Channel Buffer Device

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ZXFBF04N14TC 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：SOIC包装说明：SOP,
针数：14Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.33.00.01
风险等级：5.19Is Samacsys：N
放大器类型：BUFFER最大平均偏置电流 (IIB)：2 µA
最大输入失调电压：12000 µVJESD-30 代码：R-PDSO-G14
JESD-609代码：e3长度：8.65 mm
湿度敏感等级：1负供电电压上限：-10 V
标称负供电电压 (Vsup)：-5 V功能数量：4
端子数量：14最高工作温度：70 °C
最低工作温度：最小输出电流：0.001 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.75 mm
标称压摆率：40 V/us供电电压上限：10 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL宽度：3.9 mm
Base Number Matches：1

ZXFBF04N14TC 数据手册

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ZXFBF04  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Voltage on any pin  
20V (relative to V-)  
Operating temperature range  
Storage Temperature  
0 to 70°C (de-rated for -40 to 85°C)  
-55 to 125°C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Test Conditions: Temperature =25°C, V+ = 5.00, V- = -5.00V, RL = 1kΩ, CL = 10pF  
Parameter  
Conditions  
Min.  
Typical  
Max.  
Units  
mV  
V/°C  
mA  
µA  
Offset Voltage  
Offset Voltage Drift  
Supply Current  
Input Bias Current  
Output Voltage  
V
V
= 0V  
= 0V  
-12  
-
12  
in  
in  
20  
7.6  
0.5  
All inputs = 0V  
5.0  
0.1  
12  
V
= 0V  
2.0  
in  
1
4
V
R
R
= 1kΩ  
= 10kΩ  
L
L
DC Gain  
DC Gain  
0.95  
0.95  
0.98  
1.00  
1.00  
V/V  
V/V  
V
V
=
0.5V, R = 1kΩ  
L
in  
= 0.0V  
offset  
0.99  
V
V
=
0.5V, R = 1kΩ  
in  
offset  
L
= 0.25V  
Sink Current  
V
V
= 0V, V  
=0.5V  
1.0  
6.0  
10  
5
2.2  
9.0  
20  
5.0  
12.0  
100  
15  
mA  
mA  
MΩ  
Ω
in  
in  
out  
out  
Source Current  
Input Resistance  
Output Resistance  
Bandwidth  
= 0V, V  
=-0.5V  
10  
20mVp-p,  
1.0Vp-p  
100  
20  
MHz  
Slew Rate  
40  
15  
0.1  
V/µs  
nV/√Hz  
%
Voltage Noise  
10 – 100 kHz  
F = 3.58MHz, V = 0.286Vp-p,  
Differential Gain  
NTSC  
in  
DC ∆V = 0 to 0.714V  
in  
Differential Phase  
NTSC  
0.15  
0.1  
Degrees  
%
Differential Gain  
PAL  
F = 4.43MHz, V = 0.286Vp-p,  
in  
DC ∆V = 0 to 0.714V  
in  
Differential Phase  
PAL  
0.15  
-60  
Degrees  
dB  
Channel Isolation  
V
F = 4 MHz  
= 370mVp-p, RL = 1kΩ  
in  
NOTES  
V
in  
=370mV pk-pk,  
F = 4 MHz  
Test circuit for measuring channel isolation.  
Channel Isolation = 20 x LOG10 (Vout / Vin) dB  
Vout  
RL = 1kΩ  
ISSUE 2 - OCTOBER 2000  
2
123456

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