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ZV931V2TA

更新时间: 2024-02-01 21:56:04
品牌 Logo 应用领域
捷特科 - ZETEX 二极管变容二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 126K
描述
SILICON 12V HYPERABRUPT VARACTOR DIODES

ZV931V2TA 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Transferred
包装说明:SOD-523, 2 PINReach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.16其他特性:LOW NOISE
最小击穿电压:12 V配置:SINGLE
二极管电容容差:9.09%标称二极管电容:7.15 pF
二极管元件材料:SILICON二极管类型:VARIABLE CAPACITANCE DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-F2JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260最大功率耗散:0.25 W
认证状态:Not Qualified最小质量因数:300
表面贴装:YES端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40变容二极管分类:HYPERABRUPT
Base Number Matches:1

ZV931V2TA 数据手册

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ZC930, ZMV930, ZV931 series  
TUNING CHARACTERISTICS at Tamb = 25°C  
PART  
Capacitance  
VR=1V  
Capacitance  
VR=2.5V  
Capacitance  
VR=4V  
Minimum Q  
VR=4V  
f=50MHz  
MIN pF  
8.70  
MIN pF  
MAX pF  
5.50  
MAX pF  
2.90  
930  
931  
4.30  
6.50  
200  
300  
200  
150  
150  
80  
13.50  
17.00  
42.00  
42.00  
95.00  
95.00  
7.80  
4.00  
932  
8.50  
10.50  
27.00  
24.75  
65.00  
57.75  
5.50  
933  
18.00  
20.25  
40.00  
47.25  
12.00  
12.00  
25.00  
25.00  
933A  
934  
934A  
80  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
Reverse voltage  
SYMBOL  
MAX  
UNIT  
V
VR  
IF  
12  
100  
Forward current  
mA  
mW  
mW  
mW  
ЊC  
Power dissipation at Tamb = 25ЊC SOT23  
Power dissipation at Tamb = 25ЊC SOD323  
Power dissipation at Tamb = 25ЊC SOD523  
Operating and storage temperature range  
Ptot  
Ptot  
Ptot  
330  
330  
250  
-55 to +150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS at Tamb = 25°C  
PARAMETER  
Reverse breakdown voltage  
Reverse voltage leakage  
CONDITIONS  
IR = 10uA  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
UNIT  
12  
V
nA  
VR = 8V  
0.2  
100  
400  
Temperature coefficient of capacitance  
VR = 3V, f = 1MHz  
300  
ppCm/ЊC  
ISSUE 6 - JANUARY 2002  
2

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