ZTX650DWP

更新时间： 2024-02-11 05:52:27

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捷特科 - ZETEX		晶体晶体管局域网
页数	文件大小	规格书
3页	67K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, 0.041 X 0.041 INCH, G10, DIE-2

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ZTX650DWP 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-W3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.18
最大集电极电流 (IC)：	2 A	基于收集器的最大容量：	30 pF
集电极-发射极最大电压：	45 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	40	JESD-30 代码：	R-PSIP-W3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	2.5 W
认证状态：	Not Qualified	参考标准：	CECC
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	140 MHz
VCEsat-Max：	0.5 V	Base Number Matches：	1

ZTX650DWP 数据手册

ZTX650

ZTX651

TYPICAL CHARACTERISTICS

0.6

0.5

0.4

225

175

I^C/I^B=10

0.3

0.2

0.1

V^CE=2V

125

0.0001

0.001

0.01

0.1

0.01

0.1

IC - Collector Current (Amps)

I^C- Collector Current (Amps)

hFE v IC

CE(sat)

v I

1.4

1.2

1.0

1.2

1.0

V_CE=2V

I^C/I^B=10

0.8

0.6

0.4

0.8

0.6

0.001 0.01

0.001

0.01

0.0001

0.1

0.0001

0.1

IC - Collector Current (Amps)

BE(sat)

IC - Collector Current (Amps)

v I

VBE(on) v IC

Single Pulse Test at T^amb=25°C

I^B1=I^B2=I^C/10

140

120

100

1400

1200

1000

D.C.

800

100ms

10ms

1.0ms

100µs

600

400

200

0.1

0.01

0.1

0.01

0.1

100

VCE - Collector Voltage (Volts)

I^C- Collector Current (Amps)

Safe Operating Area

Switching Speeds

3-221

1 23

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
ZTX650K	DIODES	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC,	获取价格
ZTX650M1TA	ZETEX	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 STY	获取价格
ZTX650SMTA	ZETEX	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 COM	获取价格
ZTX650STOA	DIODES	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 COM	获取价格
ZTX651	DIODES	NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS	获取价格
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