ZTX551STZ

更新时间： 2024-01-22 10:14:41

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捷特科 - ZETEX		晶体晶体管局域网
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2页	89K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3

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ZTX551STZ 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.12	最大集电极电流 (IC)：	1 A
基于收集器的最大容量：	25 pF	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	10
JESD-30 代码：	R-PSIP-W3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	功耗环境最大值：	2 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	WIRE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz	VCEsat-Max：	0.35 V
Base Number Matches：	1

ZTX551STZ 数据手册

PNP SILICON PLANAR

ZTX550

ZTX551

MEDIUM POWER TRANSISTORS

ISSUE 1 MARCH 94

FEATURES

60 Volt V_CEO

1 Amp continuous current

P_tot= 1 Watt

E-Line

TO92 Compatible

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

ZTX550 ZTX551

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

-60

-45

-80

-60

-5

-2

-1

Peak Pulse Current

Continuous Collector Current

I_C

Power Dissipation: at T_amb=25°C

derate above 25°C

P_tot

5.7

mW/ °C

Operating and Storage Temperature Range

T_j:T_stg

-55 to +200

°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C).

amb

PARAMETER

SYMBOL

ZTX550

ZTX551

UNIT CONDITIONS.

MIN. MAX. MIN. MAX.

Collector-Base

Breakdown Voltage

V_(BR)CBO

-60

-80

-60

-5

I_C=-100µA

I_C=-10mA*

I_E=-100µA

Collector-Emitter

Sustaining Voltage

V_CEO(sus)-45

Emitter-Base

Breakdown Voltage

V_(BR)EBO

I_CBO

-5

Collector Cut-Off

Current

-0.1

_CB=-45V

_CB=-60V

µA

-0.1

Emitter Cut-Off

Current

I_EBO

-0.1

V_EB=-4V

µA

Collector-Emitter

Saturation Voltage

V_CE(sat)

-0.25

-0.35

I_C=-150mA,

I_B=-15mA*

Base-Emitter

Saturation Voltage

V_BE(sat)

h_FE

-1.1

300

-1.1

150

I_C=-150mA,

I_B=-15mA*

Static Forward

Current Transfer

Ratio

100

I_C=-150mA,

V_CE=-10V*

I_C=-1A, V_CE=-10V*

Transition

Frequency

f_T

150

MHz I_C=-50mA, V_CE=-10V

f=100MHz

3-194

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ZTX552DB	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 80V V(BR)CEO \| CHIP	获取价格
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ZTX552DWP	ZETEX	Small Signal Bipolar Transistor, 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, 0.026 X 0.026 INCH	获取价格