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ZTX1149A

更新时间： 2024-10-02 07:42:55

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美台 - DIODES		晶体晶体管局域网
页数	文件大小	规格书
4页	70K
描述
PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR

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ZTX1149A 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-W3
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
Factory Lead Time：	15 weeks	风险等级：	1.38
最大集电极电流 (IC)：	3 A	集电极-发射极最大电压：	25 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	115
JESD-30 代码：	R-PSIP-W3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	1 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	WIRE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	135 MHz	Base Number Matches：	1

ZTX1149A 数据手册

PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER

HIGH GAIN TRANSISTOR

ISSUE 1 - January 1997

ZTX1149A

FEATURES

V_CEO= - 25V

3 Amp Continuous Current

10 Amp Pulse Current

Low Saturation Voltage

High Gain

E-Line

TO92 Compatible

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

ZTX1149A

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Peak Pulse Current

-30

-25

-5

-10

Continuous Collector Current

Base Current

I_C

-3

-500

I_B

°C

Power Dissipation at T_amb=25°C

P_tot

Operating and Storage Temperature

Range

T_j:T_stg

-55 to +200

12 3 4

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ZTX1149A 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
ZTX749	DIODES	类似代替	PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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ZTX212B	ETC	获取价格	TRANSISTOR BIPOLAR
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ZTX212STOA	DIODES	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 S