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ZTX214C

更新时间： 2024-01-05 05:03:08
品牌 Logo 应用领域
捷特科 - ZETEX 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 33K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, E-LINE PACKAGE-3

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ZTX214C 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-W3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.88其他特性：LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：0.2 A集电极-发射极最大电压：30 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：350
JESD-30 代码：R-PSIP-W3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：200 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：235极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：WIRE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：200 MHz
VCEsat-Max：0.25 VBase Number Matches：1

ZTX214C 数据手册

  
PNP SILICON PLANAR  
ZTX214C  
LOW NOISE TRANSISTOR  
ISSUE 2 – MARCH 94  
FEATURES  
*
*
Low noise  
High gain  
APPLICATIONS  
*
*
Audio circuits  
Instrumentation  
C
B
E
E-Line  
TO92 Compatible  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
VALUE  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
-45  
-30  
Collector-Emitter Voltage  
V
Emitter-Base Voltage  
-5  
V
Continuous Collector Current  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
-200  
mA  
mW  
°C  
Ptot  
500  
Tj:Tstg  
-55 to +175  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
= 25°C).  
amb  
PARAMETER  
SYMBOL MIN.  
TYP.  
MAX. UNIT CONDITIONS.  
Collector-Base  
Breakdown Voltage  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
-45  
-30  
-5  
V
IC=-10µA, IE=0  
IC=-2mA, IB=0  
IE=-10µA, IC=0  
VCB=-30V  
Collector-Emitter  
Breakdown Voltage  
V
Emitter-Base  
Breakdown Voltage  
V
Collector Cut-Off  
Current  
-15  
nA  
Collector-Emitter  
Saturation Voltage  
VCE(SAT)  
-0.25  
-0.6  
V
V
IC=-10mA, IB=-0.5mA*  
IC=-100mA, IB=-5mA*  
Static Forward Current hFE  
Transfer Ratio  
100  
120  
350  
IC=-10µA, VCE=-5V  
IC=-100mA, VCE=-5V*  
IC=-2mA, VCE=-5V  
550  
Transition Frequency  
Output Capacitance  
Noise Figure  
fT  
200  
MHz  
pF  
IC=-10mA, VCE=-5V  
f=100MHz  
Cobo  
N
10  
10  
2
VCB=-10V, IE=0  
f=1MHz  
dB  
VCE=-5V, IC=-200µA  
f=1KHz, ∆f=200Hz, Rg=2KΩ  
Wide Band  
Noise Figure  
dB  
VCE=-5V, IC=-200µA  
f=30Hz to 15KHz at -3dB  
points, Rg=2KΩ  
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤2%  
3-155  
1

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