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ZTE2-TAP

更新时间: 2024-01-03 19:13:17
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 测试二极管
页数 文件大小 规格书
6页 145K
描述
Zener Diode, 2.15V V(Z), 6.98%, 0.3W, Silicon, Unidirectional, DO-35, GLASS PACKAGE-2

ZTE2-TAP 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DO-35包装说明:O-LALF-W2
针数:2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.82其他特性:LOW NOISE
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
JEDEC-95代码:DO-35JESD-30 代码:O-LALF-W2
JESD-609代码:e2湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.3 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:2 V
表面贴装:NO技术:ZENER
端子面层:Tin/Silver (Sn/Ag)端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
最大电压容差:6.98%工作测试电流:5 mA
Base Number Matches:1

ZTE2-TAP 数据手册

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ZTE Series  
Vishay Semiconductors  
VISHAY  
Electrical Characteristics  
T
= 25 °C, unless otherwise specified  
amb  
Parameter  
Test condition  
Symbol  
Min  
Typ.  
Max  
1.1  
Unit  
V
Forward Voltage  
I
= 10 mA  
V
F
F
Electrical Characteristics  
(2)  
(1)  
Partnumber  
Dynamic Resistance  
Operating Voltage  
Permissable operating current  
I @ T = 25 °C  
V
@ I = 5 mA  
r
@ I = 5 mA  
Z
Z
zj  
Z
z
amb  
V
mA  
max  
120  
120  
120  
105  
95  
ZTE1.5  
ZTE2  
1.35 to 1.55  
2.0 to 2.3  
2.2 to 2.56  
2.5 to 2.9  
2.8 to 3.2  
3.1 to 3.5  
3.4 to 3.8  
3.7 to 4.1  
4.0 to 4.6  
4.4 to 5.0  
4.8 to 5.4  
13(<20)  
18(<30)  
14(<20)  
15(<20)  
15(<20)  
16(<20)  
16(<25)  
17(<25)  
17(<25)  
18(<25)  
18(<25)  
ZTE2.4  
ZTE2.7  
ZTE3  
ZTE3.3  
ZTE3.6  
ZTE3.9  
ZTE4.3  
ZTE4.7  
ZTE5.1  
90  
80  
75  
65  
60  
55  
(1) Valid provided that electrodes are kept at ambient temperature at a distance of 8 mm from case  
(2) Tested with pulses t = 5 ms  
p
Typical Characteristics (Tamb = 25 °C unless otherwise specified)  
ZTE  
5.1  
4.3  
3.6  
3
18231  
18232  
Figure 1. Admissible Power Dissipation vs. Ambient Temperature  
Figure 2. Dynamic resistance vs. operating current, normalized  
www.vishay.com  
2
Document Number 85813  
Rev. 1.4, 27-Nov-03  

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