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ZMV835A

更新时间: 2024-02-28 14:21:14
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美台 - DIODES 光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 43K
描述
Variable Capacitance Diode, 68pF C(T), 25V, Silicon

ZMV835A 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Obsolete
包装说明:R-PDSO-G2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.06Is Samacsys:N
最小击穿电压:25 V配置:SINGLE
最小二极管电容比:5标称二极管电容:68 pF
二极管元件材料:SILICON二极管类型:VARIABLE CAPACITANCE DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-G2JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-55 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260最大功率耗散:0.33 W
认证状态:Not Qualified最小质量因数:100
最大重复峰值反向电压:25 V子类别:Varactors
表面贴装:YES端子面层:MATTE TIN
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40Base Number Matches:1

ZMV835A 数据手册

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