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XTPS563203DRLR

更新时间： 2023-09-03 20:26:58

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德州仪器 - TI		/
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4.2-V to 17-V input, 3-A synchronous buck converter in SOT563 \| DRL \| 6 \| -40 to 125

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XTPS563203DRLR 数据手册

TPS563203, TPS563206

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ZHCSQN5 –MARCH 2023

6.4 热性能信息(continued)

DRL (SOT-563)

热指标⁽¹⁾

单位

6 引脚

R_θJC(top)

R_θJB

75.7

32.2

°C/W

结至外壳（顶部）热阻

结至电路板热阻

2.1

Ψ_JT

结至顶部特征参数

结至电路板特征参数

结至外壳（底部）热阻

Y_JB

31.8

R_θJC(bot)

不适用

(1) 有关新旧热指标的更多信息，请参阅半导体和IC 封装热指标应用报告。

(2) 此R_{θJA_effective}在TPS563202EVM 板上进行了测试（2 层，顶层和底层的铜厚度为2oz），VIN = 12V，VOUT = 5V，IOUT = 3A，TA

= 25^oC。

6.5 电气特性

在T_J= –40⁰C - 125⁰C 工作范围内，V_VIN= 12V（除非另有说明）

参数

测试条件

最小值

典型值

最大值

单位

输入电源电压

VIN

4.2

输入电压范围

VIN 电源电流

VIN 关断电流

110

350

µA

无负载，V_EN= 5V，非开关，PSM 版本

I_VIN

无负载，V_EN= 5V，VFB = 0.7V，FCCM

版本

µA

I_INSDN

UVLO

无负载，V_EN= 0V

3.6

3.2

3.8

3.4

VIN 欠压闭锁

唤醒VIN 电压

关断VIN 电压

迟滞VIN 电压

3.6

400

反馈电压

VFB

T_J= 25°C，Vin = 4.2V - 17V

591

588

600

609

612

FB 电压

VFB

T_J= -40°C 至125°C，Vin = 4.2V - 17V

MOSFET

R_DS

110

高侧MOSFET Rds(on)

低侧MOSFET Rds(on)

T_J= 25°C，V_VIN≥5V

mΩ

(ON)HI

R_DS

(ON)LO

占空比和频率控制

F_SW

T_J= 25°C，V_VOUT= 1.0V

V_FB= 0.5V

600

100

kHz

开关频率(1)

最短关断时间

最短导通时间

T_OFF(MIN)

T_ON(MIN)

T_J= 25°C

电流限制

I_{OCL_LS}

I_NOCL

3.9

1.8

4.7

2.5

谷值电流设定点

过流阈值

负过流阈值

逻辑阈值

V_EN(ON)

Vin = 4.2V - 17V

1.15

0.93

1.2

1.28

1.05

EN 阈值高电平

EN 阈值低电平

EN 迟滞

V_EN(OFF)

V_ENHYS

200

输出放电和软启动

IEN

VEN = 1.5V

EN 下拉电流

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English Data Sheet: SLUSEZ4

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