Datasheet > XN0431L(XN431L)

XN0431L(XN431L)

更新时间： 2024-09-29 23:33:23

品牌	Logo	应用领域
其他 - ETC		/
页数	文件大小	规格书
5页	217K
描述
複合デバイス－複合トランジスタ

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

XN0431L(XN431L) 数据手册

複合トランジスタ

XN0431L (XN431L)

シリコンNPNエピタキシャルプレーナ形(Tr1部)

シリコンPNPエピタキシャルプレーナ形(Tr2部)

Unit : mm

+0.20

–0.05

1.9 0.1

0.95 0.95

2.90

スイッチング用/デジタル回路用

+0.10

0.16

–0.06

■ 特ꢀ長

•

1パッケージに2素子内蔵(抵抗内蔵トランジスタ)

実装面積とアセンブリコストの半減が可能

+0.10

■ 基

本品種

0.30_–0.05

+0.10

0.50

•

UNR221L (UN221L) + UNR211L (UN211L)

–0.05

10°

■ 絶対最大定格 T_a= 25°C

項目

記号

定格

単位

Tr1

コレクタ・ベース間電圧

V_CBO

1 : Collector (Tr1)

2 : Base (Tr2)

3 : Emitter (Tr2)

EIAJ : SC-74

4 : Collector (Tr2)

5 : Base (Tr1)

6 : Emitter (Tr1)

Mini6-G1 Package

(E 開放時)

コレクタ・エミッタ間

電圧(B 開放時)

V_CEO

コレクタ電流

I_C

100

形名表示記号 : FI

Tr2

コレクタ・ベース間電圧

V_CBO

−50

(E 開放時)

内部接続図

コレクタ・エミッタ間

V_CEO

−50

電圧(B 開放時)

コレクタ電流

全許容損失

合温度

I_C

−100

°C

Tr2

総合

P_T

300

Tr1

接

T_j

150

保存温度

T_stg

−55 ∼ +150

°C

注) 形名の( )内は, 従来品

番です

発行年月 : 2003年12月

SJJ00066BJD

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

与XN0431L(XN431L)相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
XN0431L\|XN431L	ETC	获取价格	Composite Device - Composite Transistors
XN04321	ETC	获取价格	Composite Device - Composite Transistors
XN04322	PANASONIC	获取价格	Composite Transistors Silicon NPN epitaxial planer transistor (Tr1) Silicon PNP epitaxial
XN04322(XN4322)	ETC	获取价格	複合デバイス－複合トランジスタ
XN04381	PANASONIC	获取价格	Silicon NPN epitaxial planar type (Tr1) Silicon PNP epitaxial planar type (Tr2) For switch
XN04381(XN4381)	ETC	获取价格	複合デバイス－複合トランジスタ
XN04381\|XN4381	ETC	获取价格	Composite Device - Composite Transistors
XN04381G	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon,
XN04382	PANASONIC	获取价格	Silicon NPN(PNP) epitaxial planer transistor
XN04390	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| 50V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| SC-74