Datasheet > XN04381(XN4381)

XN04381(XN4381)

更新时间： 2024-09-29 23:33:23

品牌	Logo	应用领域
其他 - ETC		/
页数	文件大小	规格书
5页	214K
描述
複合デバイス－複合トランジスタ

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

XN04381(XN4381) 数据手册

複合トランジスタ

XN04381 (XN4381)

シリコンNPNエピタキシャルプレーナ形(Tr1部)

シリコンPNPエピタキシャルプレーナ形(Tr2部)

Unit : mm

+0.20

–0.05

1.9 0.1

(0.95) (0.95)

2.90

スイッチング用/デジタル回路用

+0.10

0.16

–0.06

■ 特ꢀ長

•

1パッケージに2素子内蔵(抵抗内蔵トランジスタ)

実装面積とアセンブリコストの半減が可能

■ 基

本品

種

+0.10

–0.05

0.30

0.50

•

UNR2213 (UN2213) + UNR2122 (UN2122)

+0.10

–0.05

10˚

■ 絶対最大定格 T_a= 25°C

項目

記号

定格

単位

Tr1

コレクタ・ベース間電圧

V_CBO

(E 開放時)

1 : Collector (Tr1)

2 : Base (Tr2)

3 : Emitter (Tr2)

EIAJ : SC-74

4 : Collector (Tr2)

5 : Base (Tr1)

6 : Emitter (Tr1)

Mini6-G1 Package

コレクタ・エミッタ間

電圧(B 開放時)

V_CEO

コレクタ電流

I_C

100

Tr2

コレクタ・ベース間電圧

V_CBO

−50

形名表示記号 : CW

(E 開放時)

コレクタ・エミッタ間

電圧(B 開放時)

V_CEO

−50

内部接続図

コレクタ電流

全許容損失

合温度

I_C

−500

°C

総合

P_T

300

Tr2

接

T_j

150

Tr1

保存温度

T_stg

−55 ∼ +150

°C

注) 形名の( )内は，従来品

番です

発行年月 : 2003年7月

SJJ00068BJD

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

与XN04381(XN4381)相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
XN04381\|XN4381	ETC	获取价格	Composite Device - Composite Transistors
XN04381G	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon,
XN04382	PANASONIC	获取价格	Silicon NPN(PNP) epitaxial planer transistor
XN04390	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| 50V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| SC-74
XN04391	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon,
XN04401	PANASONIC	获取价格	Silicon PNP epitaxial planar type
XN04401(XN4401)	ETC	获取价格	複合デバイス－複合トランジスタ
XN04401\|XN4401	PANASONIC	获取价格	Composite Device - Composite Transistors
XN04401G	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, ROHS CO
XN04402	PANASONIC	获取价格	Silicon PNP epitaxial planer transistor