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XN01212G

更新时间： 2024-10-02 19:57:03

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	203K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, ROHS COMPLIANT, MINI5-G2, 5 PIN

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XN01212G 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5
针数：	5	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.82	其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTANCE RATIO 1
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	60
JESD-30 代码：	R-PDSO-G5	元件数量：	2
端子数量：	5	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	150 MHz
Base Number Matches：	1

XN01212G 数据手册

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).

Composite Transistors

XN01212G

Silicon NPN epitaxial planar type

For switching/digital circuits

■ Features

■ Package

•

• Two elements incorporated into one package

(Emitter-coupled transistors with built-in resistor)

• Reduction of the mounting area and assembly cost by one half

Code

Mini5-G2

Pin Name

•

1: Collector (Tr1) 4: Emitter

2: Collector (Tr2) 5: Base (Tr1)

3: Base (Tr2)

■ Basic Part Number

• UNR2212 × 2

■ Marking Symbol: 9K

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Parameter

Symbol

Rating

Unit

■ Internal Connection

Collector-base voltage (Emitter open) V_CBO

Collector-emitter voltage (Base open) V_CEO

(B2) (E) (B1)

Collector current

I_C

P_T

T_j

100

°C

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

300

(22 kΩ)

150

T_stg

−55 to +150

°C

Tr2

Tr1

(C2)

(C1)

■ Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

I_CBO

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Collector-base cutoff current (Emitter open)

Collector-emitter cutoff current (Base open)

Emitter-base cutoff current (Collector open)

Forward current transfer ratio

I_C= 10 µA, I_E= 0

I_C= 2 mA, I_B= 0

V_CB= 50 V, I_E= 0

V_CE= 50 V, I_B= 0

V_EB= 6 V, I_C= 0

V_CE= 10 V, I_C= 5 mA

0.1

0.5

0.2

µA



I_CEO

I_EBO

h_FE

_FERatio ^*

h_FE(SmallV_CE= 10 V, I_C= 5 mA

/Large)

0.50

0.99



Collector-emitter saturation voltage

Output voltage high-level

Output voltage low-level

Input resistance

V_CE(sat)I_C= 10 mA, I_B= 0.3 mA

0.25

V_OH

V_OL

R₁

V_CC= 5 V, V_B= 0.5 V, R_L= 1 kΩ

4.9

V_CC= 5 V, V_B= 2.5 V, R_L= 1 kΩ

0.2

+30%

1.2

−30%

1.0

150

kΩ



Resistance ratio

R₁/ R₂

f_T

0.8

Transition frequency

V_CB= 10 V, I_E= −2 mA, f = 200 MHz

MHz

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. : Ratio between 2 elements

Publication date: March 2009

SJJ00437AED

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
XN01213	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| 50V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SC-74A
XN01213(XN1213)	ETC	获取价格	Composite Device - Composite Transistors
XN01213\|XN1213	ETC	获取价格	Composite Device - Composite Transistors
XN01213G	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, ROHS CO
XN01214	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| 50V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SC-74A
XN01214(XN1214)	ETC	获取价格	複合デバイス－複合トランジスタ
XN01214\|XN1214	ETC	获取价格	Composite Device - Composite Transistors
XN01214G	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, ROHS CO
XN01215	PANASONIC	获取价格	Silicon NPN epitaxial planer transistor
XN01215(XN1215)	ETC	获取价格	複合デバイス－複合トランジスタ

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