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XN01211

更新时间： 2024-09-29 21:54:39
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 50K
描述
Silicon NPN epitaxial planer transistor

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XN01211 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SC-74A包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5
针数：5Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.83其他特性：BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：35
JESD-30 代码：R-PDSO-G5JESD-609代码：e6
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：5封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.3 W认证状态：Not Qualified
子类别：BIP General Purpose Small Signal表面贴装：YES
端子面层：Tin/Bismuth (Sn/Bi)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：150 MHzBase Number Matches：1

XN01211 数据手册

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Composite Transistors  
XN01211 (XN1211)  
Silicon NPN epitaxial planer transistor  
Unit: mm  
For switching/digital circuits  
+0.20  
–0.05  
2.90  
+0.10  
–0.06  
0.16  
1.9±0.1  
(0.95) (0.95)  
Features  
■
3
2
4
5
■
Two elements incorporated into one package.  
(Emitter-coupled transistors with built-in resistor)  
Reduction of the mounting area and assembly cost by one half.  
■
1
+0.10  
–0.05  
0.30  
10˚  
Basic Part Number of Element  
UNR1211(UN1211) × 2 elements  
■
■
Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)  
1 : Collector (Tr1)  
2 : Collector (Tr2)  
3 : Base (Tr2)  
4 : Emitter  
5 : Base (Tr1)  
EIAJ : SC–74A  
Mini5-G1 Pakage  
■
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
IC  
Ratings  
Unit  
V
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Collector current  
Total power dissipation  
50  
50  
Rating  
of  
element  
V
Marking Symbol: 9T  
Internal Connection  
100  
mA  
mW  
˚C  
PT  
300  
Overall Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
Tr1  
5
1
2
Tstg  
–55 to +150  
˚C  
4
3
Tr2  
Electrical Characteristics (Ta=25˚C)  
■
Parameter  
Symbol  
VCBO  
Conditions  
min  
50  
typ  
max  
Unit  
V
Collector to base voltage  
IC = 10µA, IE = 0  
Collector to emitter voltage  
VCEO  
ICBO  
ICEO  
IEBO  
hFE  
IC = 2mA, IB = 0  
VCB = 50V, IE = 0  
VCE = 50V, IB = 0  
VEB = 6V, IC = 0  
VCE = 10V, IC = 5mA  
50  
V
0.1  
0.5  
0.5  
µA  
µA  
mA  
Collector cutoff current  
Emitter cutoff current  
Forward current transfer ratio  
Forward current transfer hFE ratio  
35  
hFE (small/large)*1 VCE = 10V, IC = 5mA  
0.5  
0.99  
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
IC = 10mA, IB = 0.3mA  
0.25  
0.2  
V
V
Output voltage high level  
Output voltage low level  
Transition frequency  
Input resistance  
VOH  
VOL  
fT  
VCC = 5V, VB = 0.5V, RL = 1kΩ  
VCC = 5V, VB = 2.5V, RL = 1kΩ  
VCB = 10V, IE = –2mA, f = 200MHz  
4.9  
V
150  
10  
MHz  
kΩ  
R1  
–30%  
0.8  
+30%  
1.2  
Resistance ratio  
R1/R2  
1.0  
*1 Ratio between 2 elements  
Note) The Part number in the Parenthesis shows conventional part number.  
1
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
XN01211(XN1211) PANASONIC

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 		Composite Device - Composite Transistors
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 		Composite Device - Composite Transistors
XN01212 PANASONIC

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 		Silicon NPN epitaxial planar type For switching/digital circuits
XN01212(XN1212) ETC

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 		複合デバイス － 複合トランジスタ
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 		Composite Device - Composite Transistors
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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, ROHS CO
XN01213 ETC

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