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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> XN01119
XN01119 PDF预览

XN01119

更新时间： 2024-09-29 22:41:15
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 51K
描述
Silicon PNP epitaxial planer transistor

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XN01119 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SC-74A包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5
针数：5Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.84其他特性：BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：30
JESD-30 代码：R-PDSO-G5JESD-609代码：e6
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：5封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.3 W认证状态：Not Qualified
子类别：BIP General Purpose Small Signal表面贴装：YES
端子面层：Tin/Bismuth (Sn/Bi)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：80 MHzBase Number Matches：1

XN01119 数据手册

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Composite Transistors  
XN01119 (XN1119)  
Silicon PNP epitaxial planer transistor  
Unit: mm  
For switching/digital circuits  
+0.20  
–0.05  
2.90  
+0.10  
–0.06  
0.16  
1.9±0.1  
(0.95) (0.95)  
Features  
■
3
2
4
5
■
Two elements incorporated into one package.  
(Emitter-coupled transistors with built-in resistor)  
Reduction of the mounting area and assembly cost by one half.  
■
1
+0.10  
–0.05  
0.30  
10˚  
Basic Part Number of Element  
UNR1119(UN1119) × 2 elements  
■
■
Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)  
1 : Collector (Tr1)  
2 : Collector (Tr2)  
3 : Base (Tr2)  
4 : Emitter  
5 : Base (Tr1)  
EIAJ : SC–74A  
Mini5-G1 Pakage  
■
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
IC  
Ratings  
–50  
Unit  
V
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Collector current  
Total power dissipation  
Rating  
of  
element  
–50  
V
Marking Symbol: 7P  
Internal Connection  
–100  
mA  
mW  
˚C  
PT  
300  
Overall Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
Tr1  
5
1
2
Tstg  
–55 to +150  
˚C  
4
3
Tr2  
Electrical Characteristics (Ta=25˚C)  
■
Parameter  
Symbol  
VCBO  
Conditions  
min  
–50  
–50  
typ  
max  
Unit  
V
Collector to base voltage  
IC = –10µA, IE = 0  
Collector to emitter voltage  
VCEO  
ICBO  
ICEO  
IEBO  
hFE  
IC = –2mA, IB = 0  
VCB = –50V, IE = 0  
VCE = –50V, IB = 0  
VEB = –6V, IC = 0  
V
– 0.1  
– 0.5  
– 1.5  
µA  
µA  
mA  
Collector cutoff current  
Emitter cutoff current  
Forward current transfer ratio  
Forward current transfer hFE ratio  
VCE = –10V, IC = –5mA  
30  
hFE (small/large)*1 VCE = –10V, IC = –5mA  
0.5  
0.99  
80  
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
IC = –10mA, IB = – 0.3mA  
– 0.25  
– 0.2  
k
V
V
Output voltage high level  
Output voltage low level  
Transition frequency  
Input resistance  
VOH  
VOL  
fT  
VCC = –5V, VB = – 0.5V, RL = 1kΩ  
VCC = –5V, VB = –2.5V, RL = 1kΩ  
VCB = –10V, IE = 1mA, f = 200MHz  
–4.9  
V
MHz  
Ω
R1  
–30%  
0.08  
1+30%  
20.10.1  
Resistance ratio  
R1/R2  
*1 Ratio between 2 elements  
Note) The Part number in the Parenthesis shows conventional part number.  
1
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
XN01119(XN1119) ETC

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 		XN01119 (XN1119) - Composite Transistors
XN01119|XN1119 ETC

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 		Composite Device - Composite Transistors
XN01119G PANASONIC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, ROHS CO
XN0111F ETC

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