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XN01113(XN1113)

更新时间： 2024-02-14 22:14:32

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複合デバイス－複合トランジスタ

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XN01113(XN1113) 数据手册

複合トランジスタ

XN01113 (XN1113)

シリコンPNPエピタキシャルプレーナ形

Unit : mm

+0.20

–0.05

1.9 0.1

(0.95) (0.95)

2.90

スイッチング用 / デジタル回路用

+0.10

–0.06

0.16

■ 特ꢀ長

•

1パッケージに2素子内蔵

(抵抗内蔵トランジスタ・エミッタ共通)

実装面

積とアセンブリコストの半減が可能

+0.10

–0.05

0.30

10˚

■ 基

本品種

•

UNR2113 (UN2113) × 2

■ 絶対最大定格 T_a= 25°C

項目

記号

定格

−50

単位

1 : Collector (Tr1)

2 : Collector (Tr2)

3 : Base (Tr2)

4 : Emitter

5 : Base (Tr1)

コレクタ・ベース間電圧(E 開放時) V_CBO

コレクタ・エミッタ間電圧(B開放時) V_CEO

−50

EIAJ : SC-74A

Mini5-G1 Package

コレクタ電流

全許容損失

合温度

I_C

P_T

T_j

−100

300

形名表示記号 : 7L

接

150

°C

内部接続図

保存温度

T_stg

−55 ∼ +150

°C

Tr2

Tr1

■ 電気的特性 T_a= 25°C 3°C

項目

記号

V_CBO

条件

最小標準最大

単位

コレクタ・ベース間電圧(E 開放時)

I_C= −10 µA, I_E= 0

I_C= −2 mA, I_B= 0

V_CB= −50 V, I_E= 0

V_CE= −50 V, I_B= 0

V_EB= −6 V, I_C= 0

V_CE= −10 V, I_C= −5 mA

−50

コレクタ・エミッタ間電圧(B開放時) V_CEO

コレクタ・ベース間遮断電流(E 開放時) I_CBO

−50

− 0.1

− 0.5

− 0.1

µA

コレクタ・エミッタ間遮断電流(B開放時)

エミッタ・ベース間遮断電流(C 開放時) I_EBO

流電流増幅率 h_FE

流電流増幅率比

I_CEO

直



直

h_FE(Small/V_CE= −10 V, I_C= −5 mA

0.50

0.99



Large)

コレクタ・エミッタ間飽和電圧

出力電圧ハイレベル

出力電圧ローレベル

入力抵抗

V_CE(sat)I_C= −10 mA, I_B= − 0.3 mA

− 0.25

V_OH

V_OL

R₁

V_CC= −5 V, V_B= − 0.5 V, R_L= 1 kΩ

−4.9

V_CC= −5 V, V_B= −3.5 V, R_L= 1 kΩ

− 0.2

+30%

1.2

−30%

1.0

kΩ



抵抗比率

R₁/ R₂

f_T

0.8

トランジション周波数

V_CB= −10 V, I_E= 1 mA, f = 200 MHz

MHz

注) 1. 測定方法は，日本工業規格 JIS C 7030 トランジスタ測定方法によります。

2. : 2素子間比

注) 形名の( )内は，従来品

番です

発行年月 : 2004年2月

SJJ00006BJD

12 3

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XN01114(XN1114)	ETC	获取价格	Composite Device - Composite Transistors
XN01114\|XN1114	ETC	获取价格	Composite Device - Composite Transistors
XN01114G	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, ROHS CO
XN01115	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| 50V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SC-74A
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XN01115\|XN1115	ETC	获取价格	Composite Device - Composite Transistors
XN01116	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, SC-74A,
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