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XLMG2610RRGT

更新时间： 2023-09-03 20:30:23

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德州仪器 - TI		驱动驱动器
页数	文件大小	规格书
44页	1625K
描述
具有集成驱动器、保护和电流检测功能且适用于 ACF 的 650V 170/248mΩ GaN 半桥 \| RRG \| 40 \| -40 to 125

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XLMG2610RRGT 数据手册

LMG2610

www.ti.com.cn

ZHCSNW8A –OCTOBER 2022 –REVISED DECEMBER 2022

6.5 Electrical Characteristics

1) Symbol definitions: V_DS(ls)= SW to SL voltage; I_DS(ls)= SW to SL current; V_DS(hs)= DH to SW voltage; I_D(hs)= DH to SW

current; 2) Unless otherwise noted: voltage, resistance, and capacitance are respect to AGND; -40 °C ≤T_J≤125 °C; 10 ≤

_AUX≤26; 7.5 ≤V_{BST_SW}≤26; V_EN= 5 V; V_INL= 0 V; V_INH= 0 V; R_RDRVL= 0 Ω; R_{RDRVH_SW}= 0 Ω; R_CS= 100 Ω

PARAMETER

TEST CONDITIONS

MIN

TYP

MAX

UNIT

LOW-SIDE GAN POWER FET

V_INL= 5 V, I_D(ls)= 3 A, T_J= 25°C

V_INL= 5 V, I_D(ls)= 3 A, T_J= 125°C

SL to SW current = 0.1 A

170

325

-1.9

-2.6

R_DS(on)(ls)Drain-source (SW to SL) on resistance

mΩ

Source-drain (SL to SW) third-quadrant

voltage

V_SD(ls)

SL to SW current = 1 A

V_DS(hs)= 0 V, V_DS(ls)= 650 V, T_J= 25 °C

V_DS(hs)= 0 V, V_DS(ls)= 650 V, T_J= 125 °C

I_DSS(ls)

Drain (SW to SL) leakage current

µA

Q_OSS(ls)Output (SW to SL) charge

19.7

C_OSS(ls)Output (SW to SL) capacitance

Output (SW to SL) capacitance stored

V_DS(hs)= 0 V, V_DS(ls)= 400 V

E_OSS(ls)

energy

2.32

µJ

Energy related effective output (SW to

SL) capacitance

C_OSS,er(ls)

Time related effective output (SW to SL)

capacitance

C_OSS,tr(ls)

V_DS(hs)= 0 V, V_DS(ls)= 0 V to 400 V

49.2

Q_RR(ls)

Reverse recovery charge

HIGH-SIDE GAN POWER FET

V_INH= 5 V, I_D(hs)= 1.75 A, T_J= 25°C

V_INH= 5 V, I_D(hs)= 1.75 A, T_J= 125°C

SW to DH current = 0.1 A

248

470

-2

R_DS(on)

Drain-source (DH to SW) on resistance

mΩ

(hs)

Source-drain (SW to DH) third-quadrant

voltage

V_SD(hs)

SW to DH current = 1 A

-2.7

1.4

V_DS(ls)= 0 V, V_DS(hs)= 650 V, T_J= 25 °C

V_DS(ls)= 0 V, V_DS(hs)= 650 V, T_J= 125 °C

I_DSS(hs)

Drain (DH to SW) leakage current

µA

Q_OSS(hs)Output (DH to SW) charge

15.51

22.4

C_OSS(hs)Output (DH to SW) capacitance

Output (DH to SW) capacitance stored

V_DS(ls)= 0 V, V_DS(hs)= 400 V

E_OSS(hs)

energy

2.15

26.9

µJ

C_OSS,er(hsEnergy related effective output (DH to

SW) capacitance

)

C_OSS,tr(hsTime related effective output (DH to SW)

V_DS(ls)= 0 V, V_DS(hs)= 0 V to 400 V

38.78

capacitance

)

Q_RR(hs)

LOW-SIDE OVERCURRENT PROTECTION

I_T(OC)(ls)

HIGH-SIDE OVERCURRENT PROTECTION

I_T(OC)(hs)

BOOTSTRAP RECTIFIER

Reverse recovery charge

5.4

5.9

3.5

6.4

Overcurrent fault –threshold current

V_INL= 5 V, V_{AUX_BST}= 1 V, T_J= 25°C

V_INL= 5 V, V_{AUX_BST}= 1 V, T_J= 125°C

V_INL= 5 V, V_{AUX_BST}= 7 V

R_DS(on)

AUX to BST on resistance

AUX to BST current limit

210

240

270

BST to AUX reverse current blocking

threshold

V_INL= 5 V

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