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XC61CN1402PR-G

更新时间： 2024-02-29 07:17:05
品牌 Logo 应用领域
特瑞仕 - TOREX /
页数 文件大小 规格书
18页 615K
描述
Power Supply Support Circuit, Fixed, 1 Channel, +1.4VV, CMOS, PSSO3, ANTIMONY AND HALOGEN FREE, ROHS COMPLIANT, SOT-89, 3 PIN

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XC61CN1402PR-G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：, TO-243Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.39.00.01
风险等级：5.72其他特性：DETECTOR VOLTAGE IS 1.4V
可调阈值：NO模拟集成电路 - 其他类型：POWER SUPPLY SUPPORT CIRCUIT
JESD-30 代码：R-PSSO-F3JESD-609代码：e3
长度：4.5 mm湿度敏感等级：1
信道数量：1功能数量：1
端子数量：3最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装等效代码：TO-243封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：0.7/6 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.6 mm子类别：Power Management Circuits
最大供电电流 (Isup)：0.0036 mA最大供电电压 (Vsup)：6 V
最小供电电压 (Vsup)：0.7 V标称供电电压 (Vsup)：1 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子节距：1.5 mm
端子位置：SINGLE阈值电压标称：+1.4V
处于峰值回流温度下的最长时间：10宽度：2.5 mm
Base Number Matches：1

XC61CN1402PR-G 数据手册

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XC61C Series  
■ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
VDF (T) = 0.8V to 6.0V ± 2%  
VDF (T) = 2.6V to 5.1V ± 1%  
Ta=25℃  
CIRCUITS  
PARAMETER  
SYMBOL  
CONDITIONS  
MIN.  
VDF(T)  
x 0.98  
VDF(T)  
x 0.99  
VDF  
TYP.  
MAX. UNITS  
VDF(T)=0.8V~1.5V *1  
VDF(T)=1.6V~6.0V *2  
VDF(T)  
V
VDF(T)  
1
1
1
x 1.02  
Detect Voltage  
VDF  
VDF(T)  
V
VDF(T)=2.6V~5.1V *2  
VDF(T)  
VDF  
x 1.01  
VDF  
V
Hysteresis Range  
Supply Current  
VHYS  
ISS  
x 0.02 x 0.05  
x 0.08  
VIN = 1.5V  
VIN = 2.0V  
VIN = 3.0V  
VIN = 4.0V  
VIN = 5.0V  
-
-
0.7  
0.8  
2.3  
2.7  
μA  
2
1
-
0.9  
3.0  
-
1.0  
3.2  
-
1.1  
3.6  
Operating Voltage *1  
Operating Voltage *2  
VDF(T) = 0.8V to 1.5V  
VDF(T) = 1.6V to 6.0V  
0.7  
0.7  
0.10  
0.85  
-
-
6.0  
VIN  
V
-
10.0  
VIN = 0.7V  
VIN = 1.0V  
VIN = 6.0V  
VIN = 1.0V  
VIN = 2.0V  
VIN = 3.0V  
VIN = 4.0V  
VIN = 5.0V  
VIN = 8.0V  
0.80  
2.70  
-7.5  
2.2  
-
N-ch VDS = 0.5V  
3
4
Output Current *1  
-
CMOS, P-ch VDS = 2.1V  
-1.5  
1.0  
3.0  
5.0  
6.0  
7.0  
-
-
IOUT  
mA  
7.7  
-
N-ch VDS = 0.5V  
3
10.1  
11.5  
13.0  
-10.0  
-
Output Current *2  
-
-
CMOS, P-ch VDS = 2.1V  
-2.0  
4
CMOS  
Output  
VIN=VDFx0.9, VOUT=0V  
-
-
-10  
10  
-
Leakage  
Current  
(Pch)  
N-ch  
ILEAK  
nA  
3
VIN=6.0V, VOUT=6.0V*1  
VIN=10.0V, VOUT=10.0V*2  
Open  
Drain  
100  
Temperature  
ΔVDF  
/
ppm/  
℃
-40℃ ≦ Topr ≦ 85℃  
-
-
±100  
-
1
5
Characteristics  
Delay Time  
(
Δ
Topr VDF  
･
)
tDLY  
Inverts from VDR to VOUT  
0.03  
0.20  
ms  
(VDR→VOUT inversion)  
NOTE:  
*1: Low Voltage: VDF(T)=0.8V~1.5V  
*2: Standard Voltage: VDF(T)=1.6V~6.0V  
VDF (T): Nominal detect voltage  
Release Voltage: VDR = VDF + VHYS  
4/18  
1234567...18

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