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XC6133N50BER-G

更新时间： 2024-01-09 19:33:28
品牌 Logo 应用领域
特瑞仕 - TOREX 光电二极管
页数 文件大小 规格书
28页 554K
描述
Power Supply Support Circuit, Adjustable, 1 Channel, CMOS, PDSO6, USP-6

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XC6133N50BER-G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：HVSON,Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.39.00.01
风险等级：5.57其他特性：DETECT VOLTAGE IS 5V
可调阈值：YES模拟集成电路 - 其他类型：POWER SUPPLY SUPPORT CIRCUIT
JESD-30 代码：R-PDSO-N6长度：2 mm
湿度敏感等级：1信道数量：1
功能数量：1端子数量：6
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：HVSON
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：260座面最大高度：0.6 mm
最大供电电压 (Vsup)：6 V最小供电电压 (Vsup)：1.6 V
标称供电电压 (Vsup)：2 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：AUTOMOTIVE
端子面层：Nickel/Silver/Gold (Ni/Ag/Au)端子形式：NO LEAD
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10宽度：1.8 mm
Base Number Matches：1

XC6133N50BER-G 数据手册

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XC6133  
Series  
■ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Ta=25℃  
-40℃≦Ta≦125℃(*5)  
PARAMETER  
SYMBOL  
CONDITIONS  
UNITS CIRCUIT  
MIN. TYP. MAX. MIN. TYP. MAX.  
Operating Voltage  
VSEN Input Voltage  
VIN  
1.6  
0
6.0  
6.0  
1.6  
0
6.0  
6.0  
V
V
VSEN  
VDF(T)  
-18mV  
VDF(T)  
VDF(T) VDF(T)  
+18mV -36mV  
VDF(T) VDF(T)  
×1.012 ×0.973  
VDF(T) VDF(T)  
×1.015 ×0.970  
VDF(T)  
+36mV  
VDF(T)  
VDF(T)(*1)=1.0V～1.4V  
VDF(T)(*1)=1.5V～3.0V  
VDF(T)(*1)=3.1V～5.0V  
VDF(T)  
VDF(T)  
VDF(T)  
VDF(T)  
VDF(T)  
VDF(T)  
V
Detect Voltage  
VDF  
×0.988  
VDF(T)  
×1.027  
VDF(T)  
①
V
ppm/℃  
V
×0.985  
×1.030  
Temperature  
∆VDF/  
-40℃≦Topr≦125℃  
-
±50  
VDF  
-
-
±50  
VDF  
-
Characteristics  
(∆Topr・VDF)  
VDF  
VDF  
VDF  
VDF  
Hysteresis Width  
Supply Current 1  
VHYS  
×0.03 ×0.05 ×0.07 ×0.02 ×0.05 ×0.08  
V
SEN=VDF×0.9V,  
-
-
-
-
1.28  
1.36  
1.32  
1.65  
2.65  
2.80  
2.75  
-
-
1.28  
1.36  
1.32  
1.65  
3.92  
4.22  
4.26  
VIN=1.6V  
Iss1  
VSEN=VDF×0.9V,  
VIN=6.0V  
µA  
②
③
V
SEN=VDF×1.1V,  
-
-
VIN=1.6V  
Supply Current 2  
Iss2  
VSEN=VDF×1.1V,  
VIN=6.0V  
3.25  
-
4.97  
-
SENSE Resistance  
Release Delay  
Resistance  
RSEN  
VIN=6.0V,VSEN=6.0V  
E-1(*2)  
E-2(*2)  
MΩ  
VIN=6.0V,VSEN=6.0V,  
130  
259  
8.3  
144  
288  
11  
158  
317  
18.4  
158  
19.1  
122  
245  
7.6  
144  
288  
11  
166  
331  
20.0  
166  
19.8  
V
Cd/MRB=0V  
(TYPE:A/B/C/E/F/H)  
Release Delay  
Resistance  
VIN=6.0V,VSEN=6.0V,  
Cd/MRB=0V  
Rp  
V
(TYPE:D/K)  
Release Delay  
Resistance  
VIN=6.0V,VSEN=6.0V,  
Cd/MRB=0V  
kΩ  
④
V
(TYPE:L/M)  
Detect Delay  
Resistance  
VIN=6.0V,VSEN=0V,  
Cd/MRB=6.0V  
130  
16.8  
144  
18  
122  
16.2  
144  
18  
V
(TYPE:C/D/H/K/L/M)  
Detect Delay  
Resistance  
Rn  
VIN=6.0V,VSEN=0V,  
Cd/MRB=6.0V  
V
(TYPE:B/F)  
VIN=6.0V,  
Release Delay Time(*3)  
Detect Delay Time(*4)  
tDR0  
VSEN=VDF×0.9V→  
-
-
20  
20  
102  
82  
-
-
20  
20  
136  
116  
V
DF×1.1V  
µs  
⑤
VIN=6.0V,  
tDF0  
VSEN=VDF×1.1V→  
VDF×0.9V  
Unless otherwise specified in measurement conditions, Cd/MRB pin is open.  
(*1)  
V
:Nominal detect voltage  
DF(T)  
(*2) For VIN conditions, refer to SPEC TABLE (p.10).  
(*3) RESETB product: Time from when the VSEN pin voltage reaches the release voltage until the reset output pin reaches 5.4V(VIN×90%).  
RESET product: Time from when the VSEN pin voltage reaches the release voltage until the reset output pin reaches 0.6V(VIN×10%)  
Release voltage(VDR)=Detect voltage(VDF)+Hysteresis width(VHYS).  
(*4) RESETB product: Time from when the VSEN pin voltage reaches the detect voltage until the reset output pin reaches 0.6V (VIN×10%).  
RESET product: Time from when the VSEN pin voltage reaches the detect voltage until the reset output pin reaches 5.4V (VIN×90%).  
(*5) The ambient temperature range (-40℃≦Ta≦125℃) is a design Value.  
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