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XC6132N15FER-G

更新时间： 2024-01-09 02:45:54

品牌	Logo	应用领域
特瑞仕 - TOREX		光电二极管
页数	文件大小	规格书
30页	819K
描述
Power Supply Support Circuit, Adjustable, 1 Channel, CMOS, PDSO6, USP-6

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XC6132N15FER-G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	HVSON,	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.39.00.01
风险等级：	5.59	其他特性：	DETECT VOLTAGE IS 1.5V
可调阈值：	YES	模拟集成电路 - 其他类型：	POWER SUPPLY SUPPORT CIRCUIT
JESD-30 代码：	R-PDSO-N6	长度：	2 mm
湿度敏感等级：	1	信道数量：	1
功能数量：	1	端子数量：	6
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	HVSON
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	座面最大高度：	0.6 mm
最大供电电压 (Vsup)：	6 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.6 V
标称供电电压 (Vsup)：	2 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	AUTOMOTIVE
端子面层：	Nickel/Silver/Gold (Ni/Ag/Au)	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	宽度：	1.8 mm
Base Number Matches：	1

XC6132N15FER-G 数据手册

XC6132

Series

■ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Ta=25℃

-40℃≦Ta≦125℃^(*7)

PARAMETER

SYMBOL

CONDITIONS

UNITS CIRCUIT

MIN. TYP. MAX. MIN. TYP. MAX.

Operating Voltage

V_SENInput Voltage

V_IN

1.6

6.0

1.6

6.0

V_SEN

V_DF(T)

-18mV

V_DF(T)

V_DF(T)V_DF(T)

+18mV -36mV

V_DF(T)V_DF(T)

×1.012 ×0.973

V_DF(T)

+36mV

V_DF(T)

V_DF(T)^(*1)=0.8V～1.4V

V_DF(T)^(*1)=1.5V～2.0V

V_DF(T)

①

Detect Voltage

V_DF

×0.988

×1.027

Temperature

∆V_DF/

-40℃≦Topr≦125℃

±50

V_DF

±50

V_DF

ppm/℃

Characteristics

(∆Topr・V_DF)

V_DF

Hysteresis Width

Supply Current 1

V_HYS

×0.001 ×0.007

×0.001 ×0.01

V_SEN=V_DF×0.9V,

V_IN：Refer to V-1^(*2)

V_SEN=V_DF×0.9V,

V_IN=6.0V

E-1^(*3)

E-2^(*3)

I_ss1

1.36 2.80

E-3^(*3)

1.36 4.22

E-4^(*3)

µA

②

③

V_SEN=V_DF×1.1V,

V_IN：Refer to V-1^(*2)

V_SEN=V_DF×1.1V,

V_IN=6.0V

Supply Current 2

I_ss2

1.65 3.25

1.65 4.97

SENSE Resistance

Release Delay

Resistance

R_SEN

V_IN=6.0V,V_SEN=6.0V

E-5^(*4)

E-6^(*4)

MΩ

V_IN=6.0V,V_SEN=6.0V,

130

259

8.3

144

288

158

122

245

7.6

144

288

166

_Cd/MRB=0V

(TYPE:A/B/C/E/F/H)

Release Delay

Resistance

V_IN=6.0V,V_SEN=6.0V,

_Cd/MRB=0V

317

18.4

158

331

20.0

166

(TYPE:D/K)

Release Delay

Resistance

V_IN=6.0V,V_SEN=6.0V,

_Cd/MRB=0V

kΩ

④

(TYPE:L/M)

Detect Delay

Resistance

V_IN=6.0V,V_SEN=0V,

_Cd/MRB=6.0V

130

16.8

144

122

144

(TYPE:C/D/H/K/L/M)

Detect Delay

Resistance

V_IN=6.0V,V_SEN=0V,

_Cd/MRB=6.0V

19.1 16.2

19.8

(TYPE:B/F)

Release Delay

Time^(*5)

V_IN=6.0V,

t_DR0

102

136

116

V_SEN=V_DF×0.9V→V_DF×1.1V

µs

⑤

Detect Delay

Time^(*6)

V_IN=6.0V,

t_DF0

V_SEN=V_DF×1.1V→V_DF×0.9V

Unless otherwise specified in measurement conditions, Cd/MRB pin and HYS pin are open.

(*1)

: Nominal detect voltage

DF(T)

^(*2)For V_INconditions, refer to SPEC TABLE (p.10).

^(*3)Refer to SPEC TABLE (p.10).

^(*4)Refer to SPEC TABLE (p.11).

^(*5)RESETB product: Time from when the V_SENpin voltage reaches the release voltage until the reset output pin reaches 5.4V

(V_IN×90%).

RESET product: Time from when the V_SENpin voltage reaches the release voltage until the reset output pin reaches 0.6V(V_IN×10%)

Release voltage (V_DR)=Detect voltage (V_DF)+Hysteresis width (V_HYS).

^(*6)RESETB product: Time from when the V_SENpin voltage reaches the detect voltage until the reset output pin reaches 0.6V(V_IN×10%).

RESET product: Time from when the V_SENpin voltage reaches the detect voltage until the reset output pin reaches 5.4V(V_IN×90%).

^(*7)The ambient temperature range (-40℃≦Ta≦125℃) is a design Value.

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