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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| X6RT413FT | ETC |
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THYRISTOR|GTO|4KV V(DRM)|TO-200AC |
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| X6RT413HB | ETC |
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THYRISTOR|GTO|4.1KV V(DRM)|TO-200AC |
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| X6RT413HD | ETC |
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THYRISTOR|GTO|4.2KV V(DRM)|TO-200AC |
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| X6RT413HF | ETC |
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THYRISTOR|GTO|4.3KV V(DRM)|TO-200AC |
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| X6RT413HH | ETC |
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THYRISTOR|GTO|4.4KV V(DRM)|TO-200AC |
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| X6RT413HK | ETC |
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THYRISTOR|GTO|4.5KV V(DRM)|TO-200AC |
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| X6S | MURATA |
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Explanation of Symbols in This Catalog Lx W dimension: products of 0.6 x 0.3 mm or less |
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| X6T | MURATA |
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Explanation of Symbols in This Catalog Lx W dimension: products of 0.6 x 0.3 mm or less |
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| X700.111205 | IVO |
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Absolute encoders - bus interfaces |
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| X700.111215 | IVO |
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Absolute encoders - bus interfaces |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
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