是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DFP | 包装说明: | FP-28 |
针数: | 28 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | 3A001.A.2.C | HTS代码: | 8542.32.00.51 |
风险等级: | 5.75 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 70 ns | 命令用户界面: | NO |
数据轮询: | YES | 耐久性: | 1000000 Write/Erase Cycles |
JESD-30 代码: | R-CDFP-F28 | JESD-609代码: | e0 |
内存密度: | 65536 bit | 内存集成电路类型: | EEPROM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 28 | 字数: | 8192 words |
字数代码: | 8000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
组织: | 8KX8 | 封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码: | DFP | 封装等效代码: | FL28,.4 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLATPACK |
页面大小: | 64 words | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 5 V |
编程电压: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
筛选级别: | MIL-STD-883 | 座面最大高度: | 2.92 mm |
最大待机电流: | 0.0002 A | 子类别: | EEPROMs |
最大压摆率: | 0.04 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | FLAT | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
切换位: | YES | 宽度: | 12.445 mm |
最长写入周期时间 (tWC): | 5 ms | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
X28HC64FMB-70T1 | XICOR |
获取价格 |
EEPROM, 8KX8, 70ns, Parallel, CMOS, CDFP28, CERAMIC, FP-28 |
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X28HC64FMB-90 | XICOR |
获取价格 |
5 Volt, Byte Alterable E2PROM |
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X28HC64FMB-90 | INTERSIL |
获取价格 |
5 Volt, Byte Alterable EEPROM |
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X28HC64FMB-90 | RENESAS |
获取价格 |
8KX8 EEPROM 5V, 90ns, CDFP28, CERAMIC, FP-28 |
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X28HC64FMB-90T1 | XICOR |
获取价格 |
EEPROM, 8KX8, 90ns, Parallel, CMOS, CDFP28, CERAMIC, FP-28 |
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X28HC64J-12 | XICOR |
获取价格 |
5 Volt, Byte Alterable E2PROM |
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X28HC64J-12 | INTERSIL |
获取价格 |
5 Volt, Byte Alterable EEPROM |
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X28HC64J-12T1 | RENESAS |
获取价格 |
8KX8 EEPROM 5V, 120ns, PQCC32, PLASTIC, MS-016AE, LCC-32 |
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X28HC64J-12T7 | RENESAS |
获取价格 |
8KX8 EEPROM 5V, 120ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 |
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X28HC64J-50 | XICOR |
获取价格 |
5 Volt, Byte Alterable E2PROM |
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