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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | HERMETIC SEALED, CERDIP-24 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.91 | 最长访问时间： | 120 ns |
| 其他特性： | PAGE WRITE | 命令用户界面： | NO |
| 数据轮询： | YES | JESD-30 代码： | R-GDIP-T24 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 32.07 mm |
| 内存密度： | 16384 bit | 内存集成电路类型： | EEPROM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 24 | 字数： | 2048 words |
| 字数代码： | 2000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 组织： | 2KX8 | 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP24,.6 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 页面大小： | 64 words | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 5 V |
| 编程电压： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 5.72 mm | 最大待机电流： | 0.0002 A |
| 子类别： | EEPROMs | 最大压摆率： | 0.04 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 切换位： | YES |
| 宽度： | 15.24 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| X28HC16DM-55 | ETC |
获取价格 |
x8 EEPROM |
|
| X28HC16DM-70 | XICOR |
获取价格 |
EEPROM, 2KX8, 70ns, Parallel, CMOS, CDIP24, HERMETIC SEALED, CERDIP-24 |
|
| X28HC16DM-90 | XICOR |
获取价格 |
EEPROM, 2KX8, 90ns, Parallel, CMOS, CDIP24, HERMETIC SEALED, CERDIP-24 |
|
| X28HC16E-12 | XICOR |
获取价格 |
EEPROM, 2KX8, 120ns, Parallel, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32 |
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| X28HC16E-55 | ETC |
获取价格 |
x8 EEPROM |
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| X28HC16E-70 | XICOR |
获取价格 |
EEPROM, 2KX8, 70ns, Parallel, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32 |
|
| X28HC16E-90 | ETC |
获取价格 |
x8 EEPROM |
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| X28HC16EI-12 | ETC |
获取价格 |
x8 EEPROM |
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| X28HC16EI-55 | XICOR |
获取价格 |
EEPROM, 2KX8, 55ns, Parallel, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32 |
|
| X28HC16EI-70 | XICOR |
获取价格 |
EEPROM, 2KX8, 70ns, Parallel, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32 |
|
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