5秒后页面跳转
X28C513EI-90T1 PDF预览

X28C513EI-90T1

更新时间: 2024-01-01 00:18:49
品牌 Logo 应用领域
XICOR 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
16页 444K
描述
EEPROM, 64KX8, 90ns, Parallel, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32

X28C513EI-90T1 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:QCCN,
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.68
最长访问时间:90 ns其他特性:100000 ENDURANCE CYCLES; 10 YEARS DATA RETENTION; 128-BYTE PAGE
数据保留时间-最小值:10耐久性:100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码:R-CQCC-N32长度:13.97 mm
内存密度:524288 bit内存集成电路类型:EEPROM
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:32字数:65536 words
字数代码:64000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:64KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装代码:QCCN
封装形状:RECTANGULAR封装形式:CHIP CARRIER
并行/串行:PARALLEL编程电压:5 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:3.048 mm
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子形式:NO LEAD端子节距:1.27 mm
端子位置:QUAD宽度:11.43 mm
最长写入周期时间 (tWC):10 msBase Number Matches:1

X28C513EI-90T1 数据手册

 浏览型号X28C513EI-90T1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号X28C513EI-90T1的Datasheet PDF文件第3页浏览型号X28C513EI-90T1的Datasheet PDF文件第4页浏览型号X28C513EI-90T1的Datasheet PDF文件第5页浏览型号X28C513EI-90T1的Datasheet PDF文件第6页浏览型号X28C513EI-90T1的Datasheet PDF文件第7页 

与X28C513EI-90T1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
X28C513EM INTERSIL

获取价格

5V, Byte Alterable EEPROM
X28C513EM-12 XICOR

获取价格

5 Volt, Byte Alterable E2PROM
X28C513EM-12 INTERSIL

获取价格

5V, Byte Alterable EEPROM
X28C513EM-12 ROCHESTER

获取价格

EEPROM, 64KX8, 120ns, Parallel, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32
X28C513EM-12T1 XICOR

获取价格

EEPROM, 64KX8, 120ns, Parallel, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32
X28C513EM-15 XICOR

获取价格

5 Volt, Byte Alterable E2PROM
X28C513EM-15 INTERSIL

获取价格

5V, Byte Alterable EEPROM
X28C513EM-15T1 XICOR

获取价格

EEPROM, 64KX8, 150ns, Parallel, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32
X28C513EM-20 XICOR

获取价格

5 Volt, Byte Alterable E2PROM
X28C513EM-20 INTERSIL

获取价格

5V, Byte Alterable EEPROM