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X28C16J-12

更新时间： 2024-02-10 13:03:48
品牌 Logo 应用领域
XICOR 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
18页 318K
描述
EEPROM, 2KX8, 120ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32

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X28C16J-12 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：PLASTIC, LCC-32Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.92最长访问时间：120 ns
命令用户界面：NO数据轮询：YES
JESD-30 代码：R-PQCC-J32JESD-609代码：e0
长度：13.97 mm内存密度：16384 bit
内存集成电路类型：EEPROM内存宽度：8
功能数量：1端子数量：32
字数：2048 words字数代码：2000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：2KX8
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：QCCJ封装等效代码：LDCC32,.5X.6
封装形状：RECTANGULAR封装形式：CHIP CARRIER
页面大小：64 words并行/串行：PARALLEL
电源：5 V编程电压：5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：3.56 mm
最大待机电流：0.0002 A子类别：EEPROMs
最大压摆率：0.04 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：J BEND端子节距：1.27 mm
端子位置：QUAD切换位：YES
宽度：11.43 mm最长写入周期时间 (tWC)：5 ms
Base Number Matches：1

X28C16J-12 数据手册

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16K  
2K x 8 Bit  
X28C16  
2
5 Volt, Byte Alterable E PROM  
FEATURES  
DESCRIPTION  
• 70ns Access Time  
• Simple Byte and Page Write  
—Single 5V Supply  
—No External High Voltages or V  
Control Circuits  
—Self-Timed  
The X28C16 is an 2K x 8 E2PROM, fabricated with  
Xicor’s proprietary, high performance, floating gate CMOS  
technology. Like all Xicor programmable nonvolatile  
memories the X28C16 is a 5V only device. The X28C16  
features the JEDEC approved pinout for byte-wide  
memories, compatible with industry standard RAMs.  
PP  
—No Erase Before Write  
The X28C16 supports a 64-byte page write operation,  
effectively providing a 32µs/byte write cycle and enabling  
the entire memory to be typically written in 0.1 seconds.  
The X28C16 also features DATA Polling and Toggle Bit  
Polling, two methods providing early end of write  
detection. In addition, the X28C16 includes a user-  
optional software data protection mode that further  
enhances Xicor’s hardware write protect capability.  
—No Complex Programming Algorithms  
—No Overerase Problem  
• Low Power CMOS  
—40 mA Active Current Max.  
—200 µA Standby Current Max.  
• Fast Write Cycle Times  
—64 Byte Page Write Operation  
—Byte or Page Write Cycle: 2ms Typical  
—Complete Memory Rewrite: 0.1 sec.Typical  
—Effective Byte Write Cycle Time: 32µs Typical  
• Software Data Protection  
Xicor E2PROMs are designed and tested for applications  
requiring extended endurance. Inherent data retention is  
greater than 100 years.  
• End of Write Detection  
—DATA Polling  
—Toggle Bit  
• High Reliability  
—Endurance: 100,000 Cycles  
—Data Retention: 100Years  
• JEDEC Approved Byte-Wide Pinout  
PIN CONFIGURATION  
LCC  
PLCC  
4
3
2
1
32 31 30  
A
5
6
7
8
9
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
A
A
6
8
9
A
5
NC  
NC  
OE  
A
4
A
3
X28C16  
(TOP VIEW)  
A
2
A
10  
11  
12  
13  
10  
A
1
CE  
I/O  
A
0
7
NC  
I/O  
I/O  
6
0
14 15 16 17 18 19 20  
3857 FRM F03  
Xicor, Inc. 1998 Patents Pending  
7069 8/26/98 T2/C0/D0 RZ  
Characteristics subject to change without notice  
1
1234567...18

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与X28C16J-12相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
X28C16J-20 XICOR

获取价格

 		EEPROM, 2KX8, 200ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
X28C16JI XICOR

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 		EEPROM, 2KX8, 300ns, Parallel, CMOS, PQCC32,
X28C16JI-25 XICOR

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 		EEPROM, 2KX8, 250ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
X28C16JM-12 XICOR

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 		EEPROM, 2KX8, 120ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
X28C16JM-25 XICOR

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 		EEPROM, 2KX8, 250ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
X28C16JM-70 XICOR

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 		EEPROM, 2KX8, 70ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
X28C16JMB-12 XICOR

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 		EEPROM, 2KX8, 120ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
X28C16JMB-70 XICOR

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 		EEPROM, 2KX8, 70ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
X28C16P XICOR

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 		EEPROM, 2KX8, 300ns, Parallel, CMOS, PDIP24,
X28C16P-20 XICOR

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 		EEPROM, 2KX8, 200ns, Parallel, CMOS, PDIP24, PLASTIC, DIP-24

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