是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | HERMETIC SEALED, CERDIP-28 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.37 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 150 ns | 命令用户界面: | NO |
数据轮询: | YES | JESD-30 代码: | R-GDIP-T28 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 37.15 mm |
内存密度: | 262144 bit | 内存集成电路类型: | EEPROM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 28 | 字数: | 32768 words |
字数代码: | 32000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 32KX8 | 封装主体材料: | CERAMIC, GLASS-SEALED |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP28,.6 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
页面大小: | 64 words | 并行/串行: | PARALLEL |
电源: | 5 V | 编程电压: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 7.24 mm |
最大待机电流: | 0.0002 A | 子类别: | EEPROMs |
最大压摆率: | 0.082 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 切换位: | YES |
宽度: | 15.24 mm | 最长写入周期时间 (tWC): | 10 ms |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
X28C256BDI-18 | XICOR |
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EEPROM, 32KX8, 180ns, Parallel, CMOS, CDIP28, HERMETIC SEALED, CERDIP-28 |
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X28C256BDM-15 | XICOR |
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EEPROM, 32KX8, 150ns, Parallel, CMOS, CDIP28, |
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X28C256BE-15 | XICOR |
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EEPROM, 32KX8, 150ns, Parallel, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32 |
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X28C256BEI-15 | XICOR |
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EEPROM, 32KX8, 150ns, Parallel, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32 |
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X28C256BEI-18 | XICOR |
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EEPROM, 32KX8, 180ns, Parallel, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32 |
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X28C256BEM-180 | XICOR |
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EEPROM, 32KX8, 180ns, Parallel, CMOS, CQCC32, |
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X28C256BJ-180 | XICOR |
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EEPROM, 32KX8, 180ns, Parallel, CMOS, PQCC32, |
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X28C256BJI-15 | XICOR |
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EEPROM, 32KX8, 150ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 |
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X28C256BJI-18 | XICOR |
获取价格 |
EEPROM, 32KX8, 180ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 |
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X28C256BP-15 | XICOR |
获取价格 |
EEPROM, 32KX8, 150ns, Parallel, CMOS, PDIP28, PLASTIC, DIP-28 |
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