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X28C010FMB-12C7729

更新时间： 2024-01-11 20:46:11
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瑞萨 - RENESAS 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
20页 818K
描述
EEPROM, 128KX8, 120ns, Parallel, CMOS, CDFP32

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X28C010FMB-12C7729 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：FP-32
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.63
最长访问时间：120 ns其他特性：LG_MAX
JESD-30 代码：R-CDFP-F32长度：21.08 mm
内存密度：1048576 bit内存集成电路类型：EEPROM
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：32字数：131072 words
字数代码：128000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
组织：128KX8封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：DFP封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLATPACK并行/串行：PARALLEL
编程电压：5 V座面最大高度：3.05 mm
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：MILITARY
端子形式：FLAT端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL宽度：10.93 mm
最长写入周期时间 (tWC)：10 msBase Number Matches：1

X28C010FMB-12C7729 数据手册

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SIGNS  
ENT  
nter at  
ED FOR NEW DE  
NDED REPLACEM  
hnical Support Ce  
NOT RECOMMEND  
DATASHEET  
NO RECOMME  
contact our Tec  
1-888-INTERSIL o  
/tsc  
r www.intersil.com  
X28C010, X28HT010  
5V, Byte Alterable EEPROM  
FN8105  
Rev 1.00  
February 12, 2007  
The Intersil X28C010/X28HT010 is a 128K x 8 EEPROM,  
fabricated with Intersil's proprietary, high performance,  
floating gate CMOS technology. Like all Intersil  
programmable non-volatile memories, the  
X28C010/X28HT010 is a 5V only device. The  
X28C010/X28HT010 features the JEDEC approved pin out  
for byte-wide memories, compatible with industry standard  
EEPROMs.  
Features  
• Access time: 120ns  
• Simple byte and page write  
- Single 5V supply  
- No external high voltages or V control  
PP  
circuits  
- Self-timed  
• No erase before write  
• No complex programming algorithms  
• No overerase problem  
The X28C010/X28HT010 supports a 256-byte page write  
operation, effectively providing a 19µs/byte write cycle and  
enabling the entire memory to be typically written in less  
than 2.5 seconds. The X28C010/X28HT010 also features  
DATA Polling and Toggle Bit Polling, system software  
support schemes used to indicate the early completion of a  
write cycle. In addition, the X28C010/X28HT010 supports  
Software Data Protection option.  
• Low power CMOS  
- Active: 50mA  
- Standby: 500µA  
• Software data protection  
- Protects data against system level inadvertent writes  
Intersil EEPROMs are designed and tested for applications  
requiring extended endurance. Data retention is specified to  
be greater than 100 years.  
• High speed page write capability  
™
• Highly reliable Direct Write cell  
- Endurance: 100,000 write cycles  
- Data retention: 100 years  
• Early end of write detection  
- DATA polling  
- Toggle bit polling  
• X28HT010 is fuly functional @ +175°C  
Pinouts  
CERDIP  
PGA  
EXTENDED LCC  
Flat Pack  
I/O  
15  
I/O  
17  
I/O  
19  
I/O  
21  
I/O  
22  
SOIC (R)  
0
2
3
5
6
4
3
2
32 31 30  
CE  
24  
NC  
1
32  
V
CC  
A
13  
A
14  
I/O  
16  
V
SS  
I/O  
20  
I/O  
23  
1
0
1
4
7
1
A
18  
5
29  
A
14  
7
A
2
3
31  
30  
WE  
16  
A
A
6
7
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
A
A
8
6
13  
A
A
A
10  
OE  
26  
2
3
A
5
NC  
12  
11  
25  
15  
A
A
8
9
4
9
X28C010  
(Top View)  
A
4
5
29  
28  
A
A
A
11  
A
A
A
A
12  
14  
3
4
5
11  
9
X28C010  
(Bottom View)  
10  
9
7
27  
28  
A
10  
11  
OE  
A
2
A
7
13  
A
A
1
10  
A
A
A
A
13  
A
6
6
27  
A
8
6
7
8
A
12  
13  
CE  
0
8
6
29  
30  
I/O  
I/O  
0
7
A
7
8
26  
25  
A
5
9
A
A
NC  
NC  
V
NC  
34  
NC  
32  
A
14  
31  
12  
15  
CC  
14 15 1617 18 1920  
A
4
A
5
4
2
3
36  
11  
X28C010  
A
9
24  
23  
OE  
3
A
NC  
1
NC  
33  
WE  
35  
16  
A
2
10  
A
10  
A
11  
12  
13  
14  
15  
16  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
CE  
1
A
0
I/O  
7
I/O  
I/O  
0
6
I/O  
I/O  
5
1
I/O  
I/O  
2
4
V
I/O  
3
SS  
FN8105 Rev 1.00  
February 12, 2007  
Page 1 of 20  
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