是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | HERMETIC SEALED, CERDIP-28 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.42 | 最长访问时间: | 45 ns |
其他特性: | MINIMUM 100 YEARS OF DATA RETENTION | JESD-30 代码: | R-GDIP-T28 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 37.15 mm |
内存密度: | 16384 bit | 内存集成电路类型: | NON-VOLATILE SRAM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 28 |
字数: | 2048 words | 字数代码: | 2000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 组织: | 2KX8 |
输出特性: | 3-STATE | 可输出: | YES |
封装主体材料: | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP28,.6 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 7.24 mm | 最大待机电流: | 0.00025 A |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.1 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 15.24 mm |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
X20C16DM-55 | XICOR |
获取价格 |
High Speed AUTOSTORE⑩ NOVRAM | |
X20C16DMB-35 | XICOR |
获取价格 |
High Speed AUTOSTORE⑩ NOVRAM | |
X20C16DMB-45 | XICOR |
获取价格 |
High Speed AUTOSTORE⑩ NOVRAM | |
X20C16DMB-55 | XICOR |
获取价格 |
High Speed AUTOSTORE⑩ NOVRAM | |
X20C16E-35 | XICOR |
获取价格 |
High Speed AUTOSTORE⑩ NOVRAM | |
X20C16E-45 | XICOR |
获取价格 |
High Speed AUTOSTORE⑩ NOVRAM | |
X20C16E-55 | XICOR |
获取价格 |
High Speed AUTOSTORE⑩ NOVRAM | |
X20C16EI-35 | XICOR |
获取价格 |
High Speed AUTOSTORE⑩ NOVRAM | |
X20C16EI-45 | XICOR |
获取价格 |
High Speed AUTOSTORE⑩ NOVRAM | |
X20C16EI-55 | XICOR |
获取价格 |
High Speed AUTOSTORE⑩ NOVRAM |