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X0205NN5BA4

更新时间: 2024-02-20 21:34:20
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 栅极触发装置可控硅整流器光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 150K
描述
1.25A SCRs

X0205NN5BA4 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code:compliantHTS代码:8541.30.00.80
风险等级:5.67Is Samacsys:N
其他特性:HIGH RELIABILITY外壳连接:ANODE
配置:SINGLE关态电压最小值的临界上升速率:15 V/us
最大直流栅极触发电流:0.05 mA最大直流栅极触发电压:0.8 V
最大维持电流:5 mAJESD-30 代码:R-PDSO-G4
JESD-609代码:e3最大漏电流:0.5 mA
湿度敏感等级:1通态非重复峰值电流:25 A
元件数量:1端子数量:4
最大通态电流:800 A最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-40 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260认证状态:Not Qualified
最大均方根通态电流:1.25 A断态重复峰值电压:800 V
重复峰值反向电压:800 V子类别:Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装:YES端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED触发设备类型:SCR
Base Number Matches:1

X0205NN5BA4 数据手册

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X02 Series  
Fig. 8: Surge peak on-state current versus  
Fig. 9: Non-repetitive surge peak on-state  
number of cycles.  
current for  
a
sinusoidal pulse with width  
tp < 10 ms, and corresponding value of I²t.  
ITSM(A), I2t(A2S)  
ITSM(A)  
25  
300  
100  
20  
tp=10ms  
Onecycle  
Nonrepetitive  
Tjinitial=25°C  
15  
10  
5
Number of cycles  
10  
Repetitive  
Tamb=25°C  
tp(ms)  
0
1
0.01  
1
10  
100  
1000  
0.10  
1.00  
10.00  
Fig. 10: On-state characteristics (maximum  
values).  
Fig. 11: Thermal resistance junction to ambient  
versus copper surface under tab (Epoxy printed  
circuit board FR4, copper thickness: 35 µm)  
(SOT-223).  
ITM(A)  
Rth(j-a) (°C/W)  
3E+1  
130  
120  
110  
100  
90  
80  
70  
60  
1E+1  
1E+0  
50  
40  
30  
20  
VTM(V)  
10  
0
S(cm2)  
1E-1  
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0  
0.5  
1.0 1.5  
2.0 2.5  
3.0  
3.5  
4.0  
4.5  
PACKAGE MECHANICAL DATA  
TO-92 (Plastic)  
DIMENSIONS  
REF.  
Millimeters  
Inches  
A
Min.  
Typ. Max. Min. Typ. Max.  
a
A
B
C
D
E
F
a
1.35  
2.54  
0.053  
0.100  
B
C
4.70  
0.185  
4.40  
0.173  
0.500  
12.70  
F
D
E
3.70  
0.50  
0.146  
0.019  
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