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X0205NN5BA4

更新时间: 2024-02-23 23:17:47
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 栅极触发装置可控硅整流器光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 150K
描述
1.25A SCRs

X0205NN5BA4 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code:compliantHTS代码:8541.30.00.80
风险等级:5.67Is Samacsys:N
其他特性:HIGH RELIABILITY外壳连接:ANODE
配置:SINGLE关态电压最小值的临界上升速率:15 V/us
最大直流栅极触发电流:0.05 mA最大直流栅极触发电压:0.8 V
最大维持电流:5 mAJESD-30 代码:R-PDSO-G4
JESD-609代码:e3最大漏电流:0.5 mA
湿度敏感等级:1通态非重复峰值电流:25 A
元件数量:1端子数量:4
最大通态电流:800 A最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-40 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260认证状态:Not Qualified
最大均方根通态电流:1.25 A断态重复峰值电压:800 V
重复峰值反向电压:800 V子类别:Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装:YES端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED触发设备类型:SCR
Base Number Matches:1

X0205NN5BA4 数据手册

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X02 Series  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tj = 25°C, unless otherwise specified)  
X02xx  
Symbol  
Test Conditions  
Unit  
02  
05  
I
MIN.  
MAX.  
MAX.  
MIN.  
-
20  
GT  
µA  
200  
50  
V
= 12 V  
R = 140 Ω  
D
L
V
0.8  
0.1  
8
V
V
V
GT  
V
Tj = 125°C  
V
I
= V  
R = 3.3 kΩ  
R = 1 kΩ  
GK  
GD  
D
DRM  
L
V
MIN.  
= 10 µA  
RG  
RG  
I = 50 mA  
R
= 1 kΩ  
MAX.  
MAX.  
5
6
mA  
mA  
V/µs  
V
I
T
GK  
H
I
I
= 1 mA  
R
= 1 kΩ  
G
GK  
L
dV/dt  
V
I
= 67 % V  
R
= 1 kΩ  
Tj = 110°C  
Tj = 25°C  
Tj = 125°C  
Tj = 125°C  
Tj = 25°C  
Tj = 125°C  
MIN.  
MAX.  
MAX.  
MAX.  
MAX.  
10  
15  
D
DRM  
GK  
V
= 2.5 A tp = 380 µs  
1.45  
0.9  
200  
5
TM  
TM  
V
Threshold voltage  
V
to  
R
Dynamic resistance  
mΩ  
d
I
I
DRM  
RRM  
V
= V  
RRM  
R
= 1 kΩ  
GK  
µA  
DRM  
500  
THERMAL RESISTANCES  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
°C/W  
R
R
Junction to leads (DC)  
Junction to tab (DC)  
Junction to ambient (DC)  
TO-92  
60  
25  
th(j-l)  
th(j-t)  
th(j-a)  
SOT-223  
TO-92  
R
150  
60  
²
SOT-223  
S = 5 cm  
S = Copper surface under tab  
PRODUCT SELECTOR  
Voltage  
Part Number  
Sensitivity  
Package  
600 V  
800 V  
X0202MA  
X0202MN  
X0202NA  
X0202NN  
X0205MA  
X0205MN  
X0205NA  
X0205NN  
X
200 µA  
200 µA  
200 µA  
200 µA  
50 µA  
TO-92  
SOT-223  
TO-92  
X
X
X
SOT-223  
TO-92  
X
X
50 µA  
SOT-223  
TO-92  
X
X
50 µA  
50 µA  
SOT-223  
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