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WY128K72V-11G5M

更新时间: 2024-02-04 12:13:01
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其他 - ETC 内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
12页 368K
描述
x72 Selectable Burst Mode SRAM Module

WY128K72V-11G5M 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.92
最长访问时间:11 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:S-XQFP-G164JESD-609代码:e0
内存密度:9437184 bit内存集成电路类型:SRAM MODULE
内存宽度:72端子数量:164
字数:131072 words字数代码:128000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:128KX72
输出特性:3-STATE封装主体材料:CERAMIC
封装代码:QFP封装等效代码:QFP164,1.2SQ
封装形状:SQUARE封装形式:FLATPACK
并行/串行:PARALLEL电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified最大待机电流:0.04 A
最小待机电流:3.14 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.8 mA标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:HYBRID
温度等级:MILITARY端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:0.635 mm
端子位置:QUADBase Number Matches:1

WY128K72V-11G5M 数据手册

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