是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DIP | 包装说明: | 0.600 INCH, CERDIP-24 |
针数: | 24 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.61 |
风险等级: | 5.77 | 最长访问时间: | 55 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-GDIP-T24 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 32.135 mm |
内存密度: | 16384 bit | 内存集成电路类型: | UVPROM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 24 | 字数: | 2048 words |
字数代码: | 2000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 2KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码: | WDIP |
封装等效代码: | DIP24,.6 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE, WINDOW | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 5 V |
编程电压: | 12.75 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 5.72 mm | 最大待机电流: | 0.025 A |
子类别: | EPROMs | 最大压摆率: | 0.04 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 15.24 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
WS57C191C-55DMB | STMICROELECTRONICS |
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MILITARY HIGH SPEED 2K x 8 CMOS PROM/RPROM | |
WS57C256F | STMICROELECTRONICS |
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HIGH SPEED 32K x 8 CMOS EPROM | |
WS57C256F- | ETC |
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WS57C256F MILITARY HIGH SPEED 32K X 8 CMOS EPROM | |
WS57C256F-1 | STMICROELECTRONICS |
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MILITARY HIGH SPEED 32K x 8 CMOS EPROM | |
WS57C256F-35 | STMICROELECTRONICS |
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HIGH SPEED 32K x 8 CMOS EPROM | |
WS57C256F-35C | STMICROELECTRONICS |
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HIGH SPEED 32K x 8 CMOS EPROM | |
WS57C256F-35D | STMICROELECTRONICS |
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HIGH SPEED 32K x 8 CMOS EPROM | |
WS57C256F-35J | STMICROELECTRONICS |
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HIGH SPEED 32K x 8 CMOS EPROM | |
WS57C256F-35L | STMICROELECTRONICS |
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HIGH SPEED 32K x 8 CMOS EPROM | |
WS57C256F-35P | STMICROELECTRONICS |
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HIGH SPEED 32K x 8 CMOS EPROM |