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Datasheet > 暂无类别数据> WS57C256F-55TMB
WS57C256F-55TMB PDF预览

WS57C256F-55TMB

更新时间： 2024-02-08 06:04:07
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 内存集成电路军事可编程只读存储器电动程控只读存储器
页数 文件大小 规格书
2页 23K
描述
MILITARY HIGH SPEED 32K x 8 CMOS EPROM

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WS57C256F-55TMB 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：DIP
包装说明：0.300 INCH, CERAMIC, DIP-28针数：28
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.61风险等级：5.08
最长访问时间：55 nsJESD-30 代码：R-CDIP-T28
内存密度：262144 bit内存集成电路类型：UVPROM
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：28字数：32768 words
字数代码：32000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
组织：32KX8封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：DIP封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE并行/串行：PARALLEL
认证状态：Not Qualified筛选级别：MIL-STD-883 Class C
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：MILITARY
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

WS57C256F-55TMB 数据手册

 浏览型号WS57C256F-55TMB的Datasheet PDF文件第2页 
WS57C256F  
MILITARY HIGH SPEED 32K x 8 CMOS EPROM  
KEY FEATURES  
• Fast Access Time  
— 55 ns  
• EPI Processing  
— Latch-up Immunity Up to 200 mA  
• Low Power Consumption  
• DESC SMD No. 5962-86063  
• Standard EPROM Pinout  
GENERAL DESCRIPTION  
The WS57C256F is a High Performance 256K UV Erasable Electrically Programmable Read Only Memory. It is  
manufactured using an advanced CMOS process technology enabling it to operate at speeds as fast as 55 ns  
Access Time.  
Two major features of the WS57C256F are its Low Power and High Speed. While operating in a TTL environment it  
consumes less than 120 mA while cycling at full speed. Additionally, the WS57C256F can be placed in a standby  
mode which drops operating current below 5 mA in a TTL environment and 500 µA in a CMOS environment.  
The WS57C256F also has exceptional output drive capability. It can source 4 mA and sink 16 mA per output.  
The WS57C256F is configured in the standard EPROM pinout which provides an easy upgrade path for systems  
which are currently using standard EPROMs.  
PIN CONFIGURATION  
MODE SELECTION  
PINS  
CE/  
PGM  
OE  
A
A
V
V
OUTPUTS  
TOP VIEW  
9
0
PP  
CC  
MODE  
Chip Carrier  
CERDIP  
Read  
V
V
X
X
V
V
D
IL  
IL  
CC CC  
OUT  
Output  
Disable  
X
V
X
X
V
V
V
High Z  
High Z  
1
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
16  
15  
V
V
A
A
A
A
A
PP  
CC  
14  
13  
8
IH  
CC CC  
2
A
12  
4
3
2
30  
32 31  
1
3
A
A
A
A
A
A
A
A
A
A
A
7
6
5
4
3
2
1
0
0
1
2
Standby  
Program  
V
X
X
X
X
X
V
5
29  
6
5
4
3
2
1
0
8
IH  
CC CC  
4
A
A
A
A
A
A
A
6
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
9
2
5
V
V
V
V
D
9
7
IL  
IH  
PP  
PP  
CC  
CC  
IN  
11  
6
11  
NC  
8
Program  
Verify  
7
OE  
A
2
2
X
V
X
X
X
X
V
V
V
D
OE  
9
IL  
OUT  
8
10  
A
10  
11  
12  
13  
10  
9
CE/PGM  
CE/PGM  
Program  
Inhibit  
10  
11  
12  
13  
14  
O
O
O
O
O
7
6
5
4
3
V
V
V
V
High Z  
NC  
O
7
O
IH  
IH  
PP  
CC  
O
O
O
O
0
6
4
2
2
14 15 16  
18  
20  
17  
19  
O
V
V
V
V
V
23 H  
IL  
IL  
H
IL  
CC CC  
3
Signature  
5
GND  
V
V
V
V
V
V
EO H  
O
O
NC O  
O
4 5  
1
2
3
IL  
IL  
H
IH  
CC CC  
NOTES:  
1. X can be V or V  
.
4. Manufacturer Signature.  
5. Device Signature.  
IL  
IH  
2. V = V = 12.75 ± 0.25 V.  
IH  
PP  
3. A1 – A8, A10 – A14 = V .  
IL  
PRODUCT SELECTION GUIDE  
PARAMETER  
WS57C256F-55  
55 ns  
WS57C256F-70  
70 ns  
Address Access Time (Max)  
Output Enable Time (Max)  
25 ns  
30 ns  
4-17  
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12

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