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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-32 | 针数： | 32 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.5 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 35 ns |
| JESD-30 代码： | R-CDIP-T32 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 4194304 bit | 内存集成电路类型： | SRAM MODULE |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 32 | 字数： | 524288 words |
| 字数代码： | 512000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 512KX8 | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码： | DIP | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.5 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| WS512K8-35CA | WEDC |
获取价格 |
SRAM Module, 512KX8, 35ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-32 |
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| WS512K8-35CC | WEDC |
获取价格 |
512Kx8 SRAM MODULE, SMD 5962-92078 |
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| WS512K8-35CCA | WEDC |
获取价格 |
512Kx8 SRAM MODULE, SMD 5962-92078 |
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| WS512K8-35CCE | WEDC |
获取价格 |
SRAM Module, 512KX8, 35ns, CMOS, CDMA32, |
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| WS512K8-35CCEA | MICROSEMI |
获取价格 |
SRAM Module, 512KX8, 35ns, CMOS, CDMA32, |
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| WS512K8-35CI | WEDC |
获取价格 |
512Kx8 SRAM MODULE, SMD 5962-92078 |
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| WS512K8-35CIA | WEDC |
获取价格 |
512Kx8 SRAM MODULE, SMD 5962-92078 |
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| WS512K8-35CIE | WEDC |
获取价格 |
SRAM Module, 512KX8, 35ns, CMOS, CDMA32, |
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| WS512K8-35CIEA | WEDC |
获取价格 |
SRAM Module, 512KX8, 35ns, CMOS, CDMA32, |
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| WS512K8-35CM | WEDC |
获取价格 |
512Kx8 SRAM MODULE, SMD 5962-92078 |
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