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WS512K8-35CCE

更新时间: 2024-01-13 05:27:18
品牌 Logo 应用领域
WEDC 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
6页 211K
描述
SRAM Module, 512KX8, 35ns, CMOS, CDMA32,

WS512K8-35CCE 技术参数

生命周期:TransferredReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.81最长访问时间:35 ns
JESD-30 代码:R-CDMA-T32内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:SRAM MODULE内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:32字数:524288 words
字数代码:512000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:512KX8输出特性:3-STATE
可输出:YES封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
最小待机电流:2 V最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:DUAL

WS512K8-35CCE 数据手册

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