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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.61 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 45 ns |
| 其他特性： | CONFIGURABLE AS 512K X 32 | 备用内存宽度： | 16 |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | S-XQMA-F68 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 16777216 bit |
| 内存集成电路类型： | SRAM MODULE | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 68 |
| 字数： | 2097152 words | 字数代码： | 2000000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 2MX8 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装代码： | QFF | 封装等效代码： | QFL68,1.56SQ |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大待机电流： | 0.012 A | 最小待机电流： | 2 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.52 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | FLAT |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| WS512K32F-45G4Q | WEDC |
获取价格 |
SRAM Module, 2MX8, 45ns, CMOS, |
|
| WS512K32F-45G4TI | WEDC |
获取价格 |
SRAM Module, 2MX8, 45ns, CMOS, |
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| WS512K32F-45G4TIA | WEDC |
获取价格 |
SRAM Module, 2MX8, 45ns, CMOS, CQMA68, |
|
| WS512K32F-45G4TM | WEDC |
获取价格 |
SRAM Module, 2MX8, 45ns, CMOS, |
|
| WS512K32F-45G4TMA | WEDC |
获取价格 |
SRAM Module, 2MX8, 45ns, CMOS, CQMA68, |
|
| WS512K32F-45G4TQ | WEDC |
获取价格 |
SRAM Module, 2MX8, 45ns, CMOS, |
|
| WS512K32F-45H2C | WEDC |
获取价格 |
SRAM Module, 2MX8, 45ns, CMOS, CPGA66, 1.385 X 1.385 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, HIP-6 |
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| WS512K32F-45H2CA | WEDC |
获取价格 |
SRAM Module, 2MX8, 45ns, CMOS, CPGA66, 1.385 X 1.385 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, HIP-6 |
|
| WS512K32F-45H2IA | WEDC |
获取价格 |
SRAM Module, 2MX8, 45ns, CMOS, CPGA66, 1.385 X 1.385 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, HIP-6 |
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| WS512K32F-55G2I | WEDC |
获取价格 |
SRAM Module, 2MX8, 55ns, CMOS, |
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