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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DFP |
| 包装说明： | GDFP, | 针数： | 36 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A001.A.2.C |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.7 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 35 ns |
| JESD-30 代码： | R-CDFP-F36 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 23.37 mm | 内存密度： | 8388608 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 36 |
| 字数： | 1048576 words | 字数代码： | 1000000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 1MX8 |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码： | GDFP |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLATPACK, GUARD RING |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 3.18 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | FLAT |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 12.95 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| WS1M8-35DJC | WEDC |
获取价格 |
2x512Kx8 DUALITHICTM SRAM |
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| WS1M8-35DJCA | WEDC |
获取价格 |
2x512Kx8 DUALITHICTM SRAM |
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| WS1M8-35DJI | WEDC |
获取价格 |
2x512Kx8 DUALITHICTM SRAM |
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| WS1M8-35DJIA | WEDC |
获取价格 |
2x512Kx8 DUALITHICTM SRAM |
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| WS1M8-35DJM | WEDC |
获取价格 |
2x512Kx8 DUALITHICTM SRAM |
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| WS1M8-35DJMA | WEDC |
获取价格 |
2x512Kx8 DUALITHICTM SRAM |
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| WS1M8-35FC | WEDC |
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2x512Kx8 DUALITHICTM SRAM |
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| WS1M8-35FCA | WEDC |
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2x512Kx8 DUALITHICTM SRAM |
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| WS1M8-35FI | WEDC |
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2x512Kx8 DUALITHICTM SRAM |
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| WS1M8-35FIA | WEDC |
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2x512Kx8 DUALITHICTM SRAM |
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