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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| WG10040FR30 | IXYS |
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Gate Turn-Off SCR, 820A I(T)RMS, 4000V V(DRM), 3000V V(RRM), 1 Element |
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| WG10040FR31 | IXYS |
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Gate Turn-Off SCR, 820A I(T)RMS, 4000V V(DRM), 3100V V(RRM), 1 Element |
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| WG10040FR32 | IXYS |
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Gate Turn-Off SCR, 820A I(T)RMS, 4000V V(DRM), 3200V V(RRM), 1 Element |
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| WG10040FR33 | IXYS |
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Gate Turn-Off SCR, 820A I(T)RMS, 4000V V(DRM), 3300V V(RRM), 1 Element |
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| WG10040FR34 | IXYS |
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Gate Turn-Off SCR, 820A I(T)RMS, 4000V V(DRM), 3400V V(RRM), 1 Element |
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| WG10040R | ETC |
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THYRISTOR|GTO|4KV V(DRM)|TO-200VAR74 |
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| WG10040R02 | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 920 A, 4000 V, GATE TURN-OFF SCR |
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| WG10040R04 | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 920 A, 4000 V, GATE TURN-OFF SCR |
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| WG10040R05 | IXYS |
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Gate Turn-Off SCR, 920A I(T)RMS, 4000V V(DRM), 500V V(RRM), 1 Element |
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| WG10040R06 | IXYS |
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Gate Turn-Off SCR, 920A I(T)RMS, 4000V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element |
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三大厂商12层HBM3E进展迅速
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