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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| WG10037R27 | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 3700 V, GATE TURN-OFF SCR |
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| WG10037R28 | IXYS |
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Gate Turn-Off SCR, 3700V V(DRM), 2800V V(RRM), 1 Element |
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| WG10037R29 | IXYS |
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Gate Turn-Off SCR, 3700V V(DRM), 2900V V(RRM), 1 Element |
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| WG10037R31 | IXYS |
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Gate Turn-Off SCR, 3700V V(DRM), 3100V V(RRM), 1 Element |
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| WG10037R32 | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 3700 V, GATE TURN-OFF SCR |
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| WG10037R35 | IXYS |
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Gate Turn-Off SCR, 3700V V(DRM), 3500V V(RRM), 1 Element |
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| WG10037R36 | IXYS |
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Gate Turn-Off SCR, 3700V V(DRM), 3600V V(RRM), 1 Element |
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| WG10037R37 | IXYS |
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Symmetrical GTO SCR, 3700V V(DRM), 3700V V(RRM), 1 Element |
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| WG10037RX | IXYS |
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Gate Turn-Off SCR, 920A I(T)RMS, 3700V V(DRM), 100V V(RRM), 1 Element |
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| WG10037RXX | ETC |
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GATE TURN THYRISTORS |
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Galaxy S25系列或全系搭载骁龙8 Elite
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塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
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