5秒后页面跳转
WG10032FR20 PDF预览

WG10032FR20

更新时间: 2024-10-03 13:48:27
品牌 Logo 应用领域
IXYS 栅极
页数 文件大小 规格书
4页 220K
描述
Gate Turn-Off SCR, 980A I(T)RMS, 3200V V(DRM), 2000V V(RRM), 1 Element

WG10032FR20 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:DISK BUTTON, O-CEDB-N2
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8541.30.00.80
风险等级:5.84其他特性:PEAK TURN-OFF CURRENT IS 1000A
标称电路换相断开时间:105 µs配置:SINGLE
最大直流栅极触发电流:2000 mAJESD-30 代码:O-CEDB-N2
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状:ROUND
封装形式:DISK BUTTON认证状态:Not Qualified
最大均方根通态电流:980 A断态重复峰值电压:3200 V
重复峰值反向电压:2000 V表面贴装:YES
端子形式:NO LEAD端子位置:END
触发设备类型:GATE TURN-OFF SCR

WG10032FR20 数据手册

 浏览型号WG10032FR20的Datasheet PDF文件第2页浏览型号WG10032FR20的Datasheet PDF文件第3页浏览型号WG10032FR20的Datasheet PDF文件第4页 

与WG10032FR20相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
WG10032FR21 IXYS

获取价格

Gate Turn-Off SCR, 980A I(T)RMS, 3200V V(DRM), 2100V V(RRM), 1 Element
WG10032FR22 IXYS

获取价格

Gate Turn-Off SCR, 980A I(T)RMS, 3200V V(DRM), 2200V V(RRM), 1 Element
WG10032FR23 IXYS

获取价格

Gate Turn-Off SCR, 980A I(T)RMS, 3200V V(DRM), 2300V V(RRM), 1 Element
WG10032FR24 IXYS

获取价格

Gate Turn-Off SCR, 980A I(T)RMS, 3200V V(DRM), 2400V V(RRM), 1 Element
WG10032FR25 IXYS

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 980 A, 3200 V, GATE TURN-OFF SCR
WG10032FR26 IXYS

获取价格

Gate Turn-Off SCR, 980A I(T)RMS, 3200V V(DRM), 2600V V(RRM), 1 Element
WG10032FR28 IXYS

获取价格

Gate Turn-Off SCR, 980A I(T)RMS, 3200V V(DRM), 2800V V(RRM), 1 Element
WG10032FR30 IXYS

获取价格

Gate Turn-Off SCR, 3200V V(DRM), 3000V V(RRM), 1 Element
WG10032FR31 IXYS

获取价格

Gate Turn-Off SCR, 3200V V(DRM), 3100V V(RRM), 1 Element
WG10032R ETC

获取价格

THYRISTOR|GTO|3.2KV V(DRM)|TO-200VAR74W