5秒后页面跳转
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| WG10029R05 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 1180 A, 2900 V, GATE TURN-OFF SCR |
|
| WG10029R07 | IXYS |
获取价格 |
Gate Turn-Off SCR, 1180A I(T)RMS, 2900V V(DRM), 700V V(RRM), 1 Element |
|
| WG10029R09 | IXYS |
获取价格 |
Gate Turn-Off SCR, 1180A I(T)RMS, 2900V V(DRM), 900V V(RRM), 1 Element |
|
| WG10029R10 | IXYS |
获取价格 |
Gate Turn-Off SCR, 1180A I(T)RMS, 2900V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element |
|
| WG10029R11 | IXYS |
获取价格 |
Gate Turn-Off SCR, 1180A I(T)RMS, 2900V V(DRM), 1100V V(RRM), 1 Element |
|
| WG10029R13 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 1180 A, 2900 V, GATE TURN-OFF SCR |
|
| WG10029R14 | IXYS |
获取价格 |
Gate Turn-Off SCR, 1180A I(T)RMS, 2900V V(DRM), 1400V V(RRM), 1 Element |
|
| WG10029R15 | IXYS |
获取价格 |
Gate Turn-Off SCR, 1180A I(T)RMS, 2900V V(DRM), 1500V V(RRM), 1 Element |
|
| WG10029R16 | IXYS |
获取价格 |
Gate Turn-Off SCR, 1180A I(T)RMS, 2900V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 Element |
|
| WG10029R17 | IXYS |
获取价格 |
Gate Turn-Off SCR, 1180A I(T)RMS, 2900V V(DRM), 1700V V(RRM), 1 Element |
|
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
数据手册
如果您发现信息不准确，
