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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | DISK BUTTON, O-CEDB-N2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.30.00.80 |
| 风险等级： | 5.83 | 其他特性： | PEAK TURN-OFF CURRENT IS 1000A |
| 标称电路换相断开时间： | 130 µs | 配置： | SINGLE |
| 最大直流栅极触发电流： | 1300 mA | JESD-30 代码： | O-CEDB-N2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | DISK BUTTON | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大均方根通态电流： | 1180 A | 断态重复峰值电压： | 2900 V |
| 重复峰值反向电压： | 2400 V | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | END |
| 触发设备类型： | GATE TURN-OFF SCR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| WG10029R25 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 1180 A, 2900 V, GATE TURN-OFF SCR |
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| WG10029R27 | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 1180 A, 2900 V, GATE TURN-OFF SCR |
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| WG10030 | IXYS |
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Gate Turn-Off SCR, 1180A I(T)RMS, 3000V V(DRM), 100V V(RRM), 1 Element |
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| WG10030F | IXYS |
获取价格 |
Gate Turn-Off SCR, 980A I(T)RMS, 3000V V(DRM), 100V V(RRM), 1 Element |
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| WG10030F01 | IXYS |
获取价格 |
Gate Turn-Off SCR, 3000V V(DRM), 100V V(RRM), 1 Element |
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| WG10030FR | ETC |
获取价格 |
THYRISTOR|GTO|3KV V(DRM)|TO-200VAR74W |
|
| WG10030FR02 | IXYS |
获取价格 |
Gate Turn-Off SCR, 980A I(T)RMS, 3000V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element |
|
| WG10030FR03 | IXYS |
获取价格 |
Gate Turn-Off SCR, 980A I(T)RMS, 3000V V(DRM), 300V V(RRM), 1 Element |
|
| WG10030FR04 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 980 A, 3000 V, GATE TURN-OFF SCR |
|
| WG10030FR05 | IXYS |
获取价格 |
Gate Turn-Off SCR, 980A I(T)RMS, 3000V V(DRM), 500V V(RRM), 1 Element |
|
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