5秒后页面跳转
WG10008S10 PDF预览

WG10008S10

更新时间: 2024-02-24 23:59:18
品牌 Logo 应用领域
IXYS 栅极
页数 文件大小 规格书
3页 168K
描述
Gate Turn-Off SCR, 1160A I(T)RMS, 900V V(DRM), 18V V(RRM), 1 Element

WG10008S10 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:DISK BUTTON, O-MXDB-D2
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8541.30.00.80
风险等级:5.83配置:SINGLE
最大直流栅极触发电流:0.002 mAJESD-30 代码:O-MXDB-D2
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:DISK BUTTON认证状态:Not Qualified
最大均方根通态电流:1160 A断态重复峰值电压:900 V
重复峰值反向电压:18 V表面贴装:NO
端子形式:SOLDER LUG端子位置:UNSPECIFIED
触发设备类型:GATE TURN-OFF SCRBase Number Matches:1

WG10008S10 数据手册

 浏览型号WG10008S10的Datasheet PDF文件第2页浏览型号WG10008S10的Datasheet PDF文件第3页 

与WG10008S10相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
WG10008S12 IXYS Gate Turn-Off SCR, 1160A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 18V V(RRM), 1 Element

获取价格

WG10008S14 IXYS Gate Turn-Off SCR, 1160A I(T)RMS, 1100V V(DRM), 18V V(RRM), 1 Element

获取价格

WG10008S16 IXYS Gate Turn-Off SCR, 1160A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 18V V(RRM), 1 Element

获取价格

WG10008S18 IXYS Gate Turn-Off SCR, 1160A I(T)RMS, 1300V V(DRM), 18V V(RRM), 1 Element

获取价格

WG10008S20 IXYS Gate Turn-Off SCR, 1160A I(T)RMS, 1400V V(DRM), 18V V(RRM), 1 Element

获取价格

WG10008S21 IXYS Gate Turn-Off SCR, 1160A I(T)RMS, 1500V V(DRM), 18V V(RRM), 1 Element

获取价格