是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | 1.385 X 1.385 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, HIP-66 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.74 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 100 ns | 其他特性: | CONFIGURABLE AS 2M X 16 OR 1M X 32 |
数据轮询: | NO | JESD-30 代码: | S-CPGA-P66 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 35.2 mm |
内存密度: | 33554432 bit | 内存集成电路类型: | FLASH MODULE |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
部门数/规模: | 32 | 端子数量: | 66 |
字数: | 4194304 words | 字数代码: | 4000000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 组织: | 4MX8 |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码: | PGA |
封装等效代码: | PGA66,11X11 | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | GRID ARRAY | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 5 V |
编程电压: | 12 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 5.7 mm | 部门规模: | 32K |
最大待机电流: | 0.0001 A | 子类别: | Flash Memories |
最大压摆率: | 0.2 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | PIN/PEG | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | PERPENDICULAR | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
切换位: | NO | 类型: | NOR TYPE |
宽度: | 35.2 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
WF1M32E-100H2I | ETC |
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x32 Flash EEPROM Module |
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WF1M32E-100H2IA | ETC |
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x32 Flash EEPROM Module |
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WF1M32E-100H2M | ETC |
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WF1M32E-100H2MA | ETC |
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WF1M32E-150H2C | ETC |
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WF1M32E-150H2CA | ETC |
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WF1M32E-150H2M | ETC |
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WF1M32E-150H2MA | ETC |
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