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WF1M32E-150H2C

更新时间： 2024-02-03 11:40:54

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21页	1177K
描述
x32 Flash EEPROM Module

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WF1M32E-150H2C 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	1.385 X 1.385 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, HIP-66	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.74	最长访问时间：	150 ns
其他特性：	CONFIGURABLE AS 2M X 16 OR 1M X 32	数据轮询：	NO
JESD-30 代码：	S-CPGA-P66	JESD-609代码：	e0
长度：	35.2 mm	内存密度：	33554432 bit
内存集成电路类型：	FLASH MODULE	内存宽度：	8
功能数量：	1	部门数/规模：	32
端子数量：	66	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	4MX8	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	PGA	封装等效代码：	PGA66,11X11
封装形状：	SQUARE	封装形式：	GRID ARRAY
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	编程电压：	12 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	5.7 mm
部门规模：	32K	最大待机电流：	0.0001 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.2 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	PIN/PEG
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	PERPENDICULAR
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	切换位：	NO
类型：	NOR TYPE	宽度：	35.2 mm
Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7...21

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
WF1M32E-150H2CA	ETC	获取价格	x32 Flash EEPROM Module
WF1M32E-150H2I	ETC	获取价格	x32 Flash EEPROM Module
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