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WF1M32E-100H2I

更新时间： 2024-02-14 02:33:14

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21页	1177K
描述
x32 Flash EEPROM Module

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WF1M32E-100H2I 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	1.385 X 1.385 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, HIP-66	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.74	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	100 ns	其他特性：	CONFIGURABLE AS 2M X 16 OR 1M X 32
数据轮询：	NO	JESD-30 代码：	S-CPGA-P66
JESD-609代码：	e0	长度：	35.2 mm
内存密度：	33554432 bit	内存集成电路类型：	FLASH MODULE
内存宽度：	8	功能数量：	1
部门数/规模：	32	端子数量：	66
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	4MX8
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	PGA
封装等效代码：	PGA66,11X11	封装形状：	SQUARE
封装形式：	GRID ARRAY	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
编程电压：	12 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	5.7 mm	部门规模：	32K
最大待机电流：	0.0001 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.2 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	PIN/PEG	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	PERPENDICULAR	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
切换位：	NO	类型：	NOR TYPE
宽度：	35.2 mm	Base Number Matches：	1

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